LN1F03L.pdf 데이터시트 (총 11 페이지) - 파일 다운로드 LN1F03L 데이타시트 다운로드

No Preview Available !

澎湃驅動力 源於力生美
LN1F03L
Ver.: C
AC/DC 1W/3W 高功率 LED 驅動電源積體電路
主要特點
™ 前端恒流控制的隔離驅動方式
™ 輸出恒流精度優於 ±5%
™ 輸出電流精度不受變壓器電感誤差影響
™ 內置 750V 高壓功率開關
™ 內置 750V 高壓啟動倍流源
™ 週邊簡潔、高整機性價比
™ 空載輸出限壓
™ 低啟動電流和低工作電流
™ 低待機功率和高轉換效率
™ SOP8 封裝 極小的占板面積
™ 全電壓驅動 1-3W LED(1*3W;3*1W;etc.)
應用領域
— LED 射燈
— LED 燈泡
— LED 彩虹燈
— 其它恒流驅動電源
概述
LN1F03L 是專為驅動 1-3W 的高功率 LED
燈而設計的高性能低成本開關電源控制晶片,採
用電流模式的 PFM 控制方式,在小巧的 SOP8
裝內集成高壓功率管、高壓啟動電流源和高精度
智慧恒流控制電路,僅需極少的週邊器件即可組
成滿足精准恒流要求的 LED 驅動電源產品,最大
程度上節約了產品的整體成本,減小了整機體
積,IC 內部的高壓啟動恒流源電路可進一步降
低了電路啟動的損耗;在工作過程中,IC 根據
輸入電壓不同自動調整工作頻率,保證輸出電流
的恒定。
智慧的基於時間常數的控制模式極大地避
免了輸出電流受變壓器電感量及分佈參數的影
響,專有的驅動電路使開關管始終工作於臨界飽
和狀態,提高了系統的工作效率,使系統可以輕
鬆滿足能源之星等全球範圍內關於待機功
耗和效率的苛刻認證要求;高效率同時帶來晶片
發熱的下降,可輕鬆應對密封小空間的散熱問
題。
5-16V 的寬工作電壓範圍可使單一變壓器
容易地用於不同規格的 LED 驅動產品中,簡化了
設計的同時也降低了產品認證的費用。
IC 內部設計有多種保護功能電路,可即時
防範輸出超載、輸出短路等異常狀況的發生;IC
內部還集成了溫度保護功能,在系統過熱的情況
下關閉輸出,提高了電源的可靠性。
現可提供滿足 ROHS 標準和綠色環保要求的
SOP8 標準封裝產品。
图 1. 系统连接图
Copyright(C) 2010 Lii Semiconductor
-1-
www.liisemi.com

No Preview Available !

澎湃驅動力 源於力生美
內部功能框圖
LN1F03L
引腳定義
图 2. 内部框图
图 3. 引脚定义图
引腳功能描述
管腳號
1
2
3
4
5,6
7,8
符號
Vin
VCC
Iset
VS
GND
HV
管腳定義描述
電流補償腳,連接輸入直流高壓,補償輸出電流電網誤差
供電腳
輸出電流設置腳,外接電阻設定額定輸出電流
採樣與回饋腳
接地腳
高壓輸出腳,接變壓器初級線圈
Copyright(C) 2010 Lii Semiconductor
-2-
www.liisemi.com

No Preview Available !

澎湃驅動力 源於力生美
極限參數
項目
供電電壓 VCC
引腳輸入電壓(HV 除外)
HV 引腳電壓
峰值開關電流
允許耗散功率
最大結溫範圍
工作環境溫度範圍
儲存環境溫度範圍
推薦最大焊接溫度
推薦工作條件
項目
VCC 供電電壓
峰值 HV 電壓
峰值 HV 電流
最高工作頻率
晶片表面溫度
參數
18
VCC+0.3
-0.3Æ750
400
1000
內部限制
-20Æ+85
-55Æ+150
+260℃,10 S
最小
6
-
-
20
-10
典型
-
-
-
-
-
LN1F03L
單位
V
V
V
mA
mW
最大
14
600
300
60
100
單位
V
V
mA
KHz
電氣參數(無標注時均按 Ta=25℃, Vcc=9V, R1=4.7Meg.Ω, R2=2.4Ω,Lp=3mH)
功率開關部分:
符號
BHV
VHVON
TrHV
TfHV
說明
HV 腳最大耐壓
導通飽和壓降
開關上升時間
開關下降時間
TDelay
開關關斷延時
測試條件
VCC=0V,IHV=1mA
Ioc=250mA,
CL=1nF
CL=1nF
最小
750
典型
500
最大
3.0
75
75
單位
V
V
nS
nS
nS
Copyright(C) 2010 Lii Semiconductor
-3-
www.liisemi.com

No Preview Available !

澎湃驅動力 源於力生美
振盪器部分:
符號
說明
Fs 參考開關頻率
Tonmin
Tonmax
Toffmax
ΔTsT
最小開通時間
最大開通時間
最大去磁時間
時間隨溫度變化率
PWM 部分
符號
DMIN
DMAX
說明
最小開通占空比
最大開通占空比
電流限制部分:
符號
Vth
TLEB
TILD
說明
電流限制門限
前沿消隱時間
電流限制延時
信號採樣部分:
符號
VFB
RFB
IFB
Gvcc
說明
采样限制电压
採樣上拉電阻
採樣灌入電流
電源抑制比
電源部分:
符號
IqST
IST
VST
VSTOP
VRST
VSZ
說明
啟動靜態電流
靜態電流
啟動電壓
停止電壓
再啟動電壓
VCC 限制電壓
Copyright(C) 2010 Lii Semiconductor
測試條件
包含 LEB
Ta=0-85℃
測試條件
VFB=3V
VFB=2V
測試條件
測試條件
VFB=2.5V
測試條件
-4-
LN1F03L
最小
-
-
典型
45
2.0
12
50
-
最大
-
1
單位
kHz
uS
uS
uS
%
最小
45
典型
1.5
50
最大
55
單位
%
%
最小
0.585
典型
0.60
500
300
最大 單位
0.615 V
nS
nS
最小
30
-
典型
2.5
-
200
60
最大
100
70
單位
V
nA
dB
最小
-
-
-
-
-
典型
15
3.0
9.0
4.5
2.0
15
最大
50
-
-
-
-
單位
uA
mA
V
V
V
V
www.liisemi.com

No Preview Available !

澎湃驅動力 源於力生美
LN1F03L
功能描述
1、啟動控制
系統上電後,輸入直流高壓通過變壓
器初級繞組進入晶片HV端,啟動電路首先
檢測通過電流補償電阻的電流IVIN,並通過
IVIN觸發內部高壓電流源工作從而產生初
始充電電流ICHG,ICHG通過內部電源管理電路
對VCC電容進行充電,當VCC電壓被充電至
9.0V時啟動控制電路依次打開內部基準電
壓、振盪器,並開始輸出驅動脈衝到功率
開關,在若干週期之後電路將在回饋系統
不斷調整之後進入穩定的輸出狀態,電路
啟動過程結束。
2、輸出限壓與恒流控制
晶片 FB 引腳從輔助繞組經外部分壓
電阻得到採樣波形,內部波形分析電路對
採樣波形進行分析,通過內部限壓比較器
控制電路使 FB 反饋電壓不大於 2.5V,從
而在空載時將輸出電壓限制在一定範圍。
輸出負載后,當 VFB 小於 2.5V 時電路將自
動進入恒流輸出 CC 模式,對應去磁期間
(Toff) 的 波 形 時 間 採 樣 得 到 的 反 饋 時 間
Tfbi 被送到時基保持電路並與參考時基
Tref 比較後產生時基誤差信號 Tca,控制
電路將根據時基誤差信號自動調整導通時
間和死區時間,通過保持去磁時間與導通
時間和死區時間相等以維持輸出電流恒
定。
內部誤差補償電路通過檢測進入 Vin
引腳的電流大小對採樣比較電壓進行補
償,以補償輸入電壓不同時採樣電路產生
的誤差,同時控制電路會逐週期產生與輸
出電流成比例的修正信號到誤差比較電路
以補償週邊參數對對輸出電流的影響。
3、VCC 過欠電壓保護電路
週邊回饋或輸出空載試圖使VCC大於
15V時,內部電源管理電路將觸發限壓控制
電路動作,輸出電壓被維持在VCC為15V對
應的值;若VCC電壓下降到4.5V將觸發欠壓
保護電路輸出被關斷直至VCC掉電到2V後
電路重新啟動。
4、高效的驅動電路
高效的驅動電路使開關管工作於臨界
飽和狀態,提高三極管的開關速度。從而
有效地減小了三極管的開關損耗,提高整
個系統的工作效率同時大大減小了晶片的
發熱,使系統工作更可靠。
5、熱保護功能
內部溫度高於 140℃時熱保護電路將
降低電路工作頻率直至溫度下降到安全的
值才會重置電路。
Copyright(C) 2010 Lii Semiconductor
-5-
www.liisemi.com