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2SB1185(3CA1185)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于功率放大。/Purpose: Power amplifier applications.
特点:VCE(sat)低,与 2SD1762(3DA1762)互补
Features: Low VCE(sat),complementary pair with 2SD1762(3DA1762).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO -60 V
VCEO -50 V
VEBO
-5.0
V
IC
-3.0
A
ICP
-4.5
A
PC 2.0 W
PC(TC=25℃)
25 W
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
测试条件
Test condition
IC=-50μA IE=0
IC=-1.0mA IB=0
IE=-50μA IC=0
VCB=-40V
IE=0
VEB=-4.0V
IC=0
VCE=-3.0V
IC=-0.5A
IC=-2.0A
IB=-0.2A
IC=-2.0A
IB=-0.2A
VCE=-5.0V IC=-0.5A f=30MHz
VCB=-10V IE=0
f=1.0MHz
最小值
Min
-60
-50
-5.0
60
数值
Rating
典型值
Typ
70
50
最大值
Max
-1.0
-1.0
320
-1.0
-1.5
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
V
V
MHz
pF
hFE 分档/hFE classifications:
D:60~120 E:100~200 F:160~320
http://www.lzg.so

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2SB1185(3CA1185)
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