A06N03N.pdf 데이터시트 (총 6 페이지) - 파일 다운로드 A06N03N 데이타시트 다운로드

No Preview Available !

 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
25V 
D
RDSON (MAX.) 
6mΩ 
ID  80A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMA06N03AN
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
80 
50 
170 
53 
140 
40 
69 
27 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=25V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
1.8 
°C / W 
75 
2013/8/21 
p.1 

No Preview Available !

 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMA06N03AN
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 20V, VGS = 0V 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 10V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 30A 
VGS = 5V, ID = 24A 
VDS = 5V, ID = 24A 
DYNAMIC 
25   
  V 
1  1.5 3 
    ±100 nA
    1  A
    25 
80   
  A 
  5.3
6 
mΩ
  7.6 9.5 
  25   S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Ciss     
Coss 
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz 
 
Reverse Transfer Capacitance   
Crss 
 
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Rg 
Qg(VGS=10V)
Qg(VGS=5V)
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
 
VDS = 15V, VGS = 10V, 
ID = 30A 
 
VDS = 15V,   
ID = 25A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS     
ISM     
VSD 
IF = IS, VGS = 0V 
 
Reverse Recovery Time   
trr 
  
Peak Reverse Recovery Current 
IRM(REC) 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
Reverse Recovery Charge 
Qrr 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
 
 
1800
480
220
1.2
34.5
22
4.8
12.5
20
15
50
20
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  80 
  170
  1.3 
32  
200  
12  
pF
Ω 
nC
nS
A 
V 
nS
A 
nC
2013/8/21 
p.2 

No Preview Available !

2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMA06N03AN for DPAK (TO252) 
 
 
 
  A06
N03N
A06N03N: Device Name 
 
ABCDEFG
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2013/8/21 
EMA06N03AN
p.3 

No Preview Available !

  EMA06N03AN
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
 
OnRegion Characteristic
  100
10V 7V 5V
4.5V
  80
 
  60
  40
 
20
 
On‐ Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
3.0
2.5
2.0
VG  S = 4.5V
1.5
1.0
5V
5.5V
6V
7V
10V
 0
0.5
0 0.5
1 1.5
2 2.5
3
0 20 40 60 80 100
  VD  S ,DrainSource Voltage( V )
I D  ,Drain Current( A ) 
 
  1.8 On‐ Resistance Variation with Temperature 
  I D  = 30A
VG  S = 10V
1.6
 
  1.4
  1.2
  1.0
0.025
OnResistance Variation with GateSource Voltage
ID   = 15A
0.020
0.015
0.010
TA   = 125° C
  0.8
0.005
TA   = 25° C
 
  0.6
50
25
0 25 50 75 100 125 150
T j ,Junction Tem p erature(°C )
0
2
468
VG S  ,GateSourceVoltage( V )
10
 
 
TRANSFER CHARACTERISTICS
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH SOURCE
CURRENT AND TEMPERATURE
  100
60
V D S = 10V
T A  = ‐55 ° C
VG S  = 0V
 
80
25 ° C
10
TA  = 125°C
125 ° C
 
1
  60
 
40
 
25°C
0.1
55°C
0.01
  20
0.001
 
0 0.0001
012
3 45
0 0.2
0.4 0.6
0.8
1.0 1.2 1.4
  V G S ,GATE TO SOURCE VOLTAGE
VS D  ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V )
 
 
 
2013/8/21 
p.4 

No Preview Available !

 
 
  G A T E C H A R G E C H A R A C T E R IS T IC S
12
ID = 3 0 A
 
10
 
 8
 
6
 
4
 
V DS =5V
15V
10V
 2
 
0
0 15 30
45
  Q g ,G A T E C H A R G E ( n C )
 
300
200
   100
R d s ( o n ) Limit
50
 
20
 
10
 5
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
10μ  s
100μ  s
1ms
10ms
D1C00ms
 2
 1
  0.5
0.5
 
VG  S = 10V
RSIθ N J C G= L1E. 8P° UC/LWSE
Tc = 25° C
1 10
VD S  ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V )
100
 
1
  Duty Cycle = 0.5
  0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.3
0.2 0.2
  0.1 0.1
  0.05
0.05
  0.02
0.03
  0.01
0.02
  Single Pulse
0.01
  102
101
Notes:
DM
1 10
t 1 ,Time ( mSEC )
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =1.8°C/W
3.TJ  ‐  T C  = P * R θ J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
100
 
 
 
 
 
2013/8/21 
  EMA06N03AN
10 4
C A P A C IT A N C E  C H A R A C T E R IS T IC S
10 3
10 2
C iss
C o ss
C rss
f =  1  M H z
V GS= 0  V
0 5 10 15 20 25
V DS ‐D R A IN S O U R C E  V O L T A G E  ( V  )
30
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
3000
SRθI N JC  G= L1E. 8P° UC/LWSE
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1
10 100
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
1000
1000
p.5