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双向晶闸管
R TRIACS
BT131
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
IT(RMS)
VDRM
IGT
1A
600V or 800V
5mA
用途
z 交流开关
z 相位控制
APPLICATIONS
z AC switching
z Phase control
封装 Package
序号
Pin
1
2
3
引线名称
Description
主电极 1 MT1
门极
G
主电极 2 MT2
TO-92
产品特性
FEATURES
z 平面钝化芯片,
高可靠性和一
致性
z 低通态电流和高
浪涌电流能力
z 环保 RoHS 产品
z Planar chip for reliability
and uniform
z Low on-state voltage and
High ITSM
z RoHS products
订货信息 ORDER MESSAGES
订货型号
印记
Order code
Marking
BT131-O-T-N-C
BT131
封装
Package
TO-92
包装
Packaging
袋装 Bag
版本:201510F
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R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25)
项目
Parameter
符号
Symbol
试验条件
Condition
重复峰值断态电压
Repetitive peak off-state voltage
VDRM
通态方均根电流 On-state RMS current
非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Non-
repetitive surge peak on-state current
IT(RMS)
ITSM
I2t
full sine wave
full sine wave ,t=20ms
full sine wave ,t=16.7ms
t=10ms
通态电流临界上升率 Repetitive rate of
rise of on-state current after triggering
峰值门极电流 Peak gate current
峰值门极电压 Peak gate voltage
峰值门极功率 Peak gate power
平均门极功率 Average gate power
存储温度
Storage temperature
操作结温 Operation junction temperature
dI/dt
IGM
VGM
PGM
PG(AV)
Tstg
TVJ
ITM=1.5A, IG=0.2A,
dIG/dt=0.2A/μs
over any 20ms period
BT131
数 值 单位
Value Unit
±600
±800
V
1A
12.5 A
13.8
1.28
A
A2s
50 A/μs
2A
5V
5W
0.5 W
-40~150
125
版本:201510F
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R BT131
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25)
项目
符号
测试条件
Parameter
Symbol
Condition
峰值重复断态电流
Peak Repetitive Blocking
Current
IDRM
VDM=VDRM, Tj=125,
gate open
峰值通态电压
Peak on-state voltage VTM ITM=2A
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Unit
- 0.1 0.5 mA
- 1.2 1.5 V
MT1(-),MT2(+),G(+) - 0.4 5 mA
门极触发电流
Gate trigger current
IGT
VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-)
RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)
-
-
1.3
1.4
5
5
mA
mA
MT1(+),MT2(-),G(+) - 3.8 7 mA
MT1(-),MT2(+),G(+) -
- 1.5 V
门极触发电压
Gate trigger voltage
维持电流
Holding current
VGT
VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-)
RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)
MT1(+),MT2(-),G(+)
IH VDM=12V, IGT=0.1A
-
-
-
-
- 1.5 V
- 1.5 V
- 1.5 V
1.3 5 mA
MT1(-),MT2(+),G(+) - 1.2 5 mA
擎住电流
Latching current
IL
VDM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-)
IGT=0.1A MT1(+),MT2(-),G(-)
-
-
4.0
1.0
8
5
mA
mA
MT1(+),MT2(-),G(+) - 2.5 8 mA
断态临界电压上升率
Rise of off- state voltage
dV/dt VDM=67% VDRM(MAX),
Tj=125, RGK=1K
门 极 开 通 时 间 Gate
controlled turn-on time
tgt
ITM=1.5A, VDM=VDRM(MAX),
IG=0.1A, dIG/dt=5A/μS
10 20 - V/μs
- 2 - μs
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到引线的热阻
Thermal resistance
junction to lead
符号
Symbol
条件
Condition
Rth(j-c) full cycle
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Unit
60 /W
版本:201510F
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R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Ptot- IT(RMS)
BT131
IT(RMS) - Tmb
通态方均根电流 ITRMSA
ITSM - tp
基座温度 Tmb()
IT(RMS)- ts
脉冲宽度 tp(ms)
IGT(Tj)/IGT(25) - Tj
冲击持续时间 ts(s)
VTM - IT
结温 Tj()
版本:201510F
通态压降 VTM(V)
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R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-92
BT131
单位 Unit mm
符号
Symbol
A
b
c
D
E
e
L
Q1
尺寸(mm
Sizemm
3.30-3.90
0.35-0.55
0.31-0.51
4.30-4.90
4.30-4.90
1.17-1.37
12.50-15.50
0.85-1.00
版本:201510F
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