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THYRISTOR MODULE
SCASCE160DA
SCASCE160DA
Features and Advantages
《特長》
New and unique gate design for higher di/dv (Integrated
Thyristor. 2.5 times higher than existing products)
Newly designed and less-layered internal structure for
improved heat dissipation (low thermal resistance)
In addition to reduced layer design, soldering on both
sides of chips increased the long-term reliability
(2 times longer than existing products)
UL recognized under UL File E76102
EU RoHS compliant
UL
RoHS
Applications
《用途》
Motor drives
Servo controller
Power controller
UPS
Soft starter
Power supplies
UPS
di/dt
2.5
2
UL File E76102
Circuit Diagram
UL; E76102M
Unit 単位:mm
SCA
Maximum Ratings 最大定格
Symbol
記号
Item
項 目
VRRM
VRSM
VDRM
*Repetitive Peak Reverse Voltage
*定格ピーク繰返し逆電圧
*Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
*定格ピーク非繰返し逆電圧
Repetitive Peak Off-state Voltage
定格ピーク繰返しオフ電圧
Symbol 記号
ITAV
IFAV
ITRMS
IFRMS
ITSM
IFSM
I2t
PGM
PGAV
IFGM
VFGM
VRGM
di/dt
VISO
Tj
Tstg
Item 項 目
*Average On-stateForwardCurrent
*定格平均オン(順)電流
*R.M.S. On-stateForwardCurrent
*定格実効オン(順)電流
*Surge On-stateForwardCurrent
*定格サージオン(順)電流
*I2t
*電流二乗時間積
Peak Gate Power Dissipation
定格ピークゲート損失
Average Gate Power Dissipation
定格平均ゲート損失
Peak Gate Current
定格ピークゲート順電流
Peak Gate VoltageForward
定格ピークゲート順電圧
Peak Gate VoltageReverse
定格ピークゲート逆電圧
Critical Rate of Rise of On-state Current
定格臨界オン電流上昇率
*Isolation Breakdown Voltage
*絶縁耐圧
*Operating Junction Temperature
*定格接合部温度
*Storage Temperature
*保存温度
Mounting Torque
Mount M6取付
締付トルク
Terminal M6主端子
Mass 質量
SCE
Tj25unless otherwise specified/指定なき場合はTj25℃とする)
Ratings 定格値
SCA160DA80
SCA160DA160
SCE160DA80
SCE160DA160
Unit
単位
800
1600
V
960
1700
V
800
1600
V
Conditions 条 件
Single phase, half wave, 180°conduction,
単相半波平均値180°導通角
Tc88
Single phase, half wave, 180°conduction,
単相半波実効値180°導通角
Tc88
½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive
50/60Hz 商用単相半波 1サイクル波高値 非繰返し
Value for one cycle surge current
定格サージオン電流に対する値
Ratings 定格値 Unit 単位
160 A
251 A
5400/5900
A
145000
A2s
10 W
3W
3A
10 V
5V
IG100mA, VD½VDRM, dIG/dt0.1A/μs
A.C. 1minute
実効値,A.C.1分間
500
2500
40~+125
A/μs
V
Recommended value
推奨値
2.53.9Nm
Recommended value
推奨値
2.53.9Nm
Typical value 標準値
40~+125
4.7
4.7
210
Nm
g
(SCA160AA-S75-1303)

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SCA(SCE)160DA
Electrical Characteristics 電気的特性
Symbol 記号
Item 項 目
IDRM
IRRM
VTM
VFM
VTTO
Repetitive Peak Off-state Current
オフ電流
*Repetitive Peak Reverse Current
*逆電流
*On-stateForwardVoltage
*オン(順)電圧
*Threshold Voltage
*閾値電圧
rt
*Dynamic Resistance
*オン抵抗
IGT
Gate Trigger Current
ゲートトリガ電流
VGT
Gate Trigger Voltage
ゲートトリガ電圧
VGD
Gate Non-Trigger Voltage
ゲート非トリガ電圧
tgt
Turn-on Time
ターンオン時間
dv/dt
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
臨界オフ電圧上昇率
IH
Holding Current
保持電流
IL
Latching Current
ラッチング電流
Rthj-c
*Thermal Resistance
*熱抵抗
Rthj-c
*Effective Thermal Resistance
*実効熱抵抗
Rthc-s
*Interface Thermal Resistance
*接触熱抵抗
Tj25unless otherwise specified/指定なき場合はTj25℃とする)
Conditions 条 件
Ratings 定格値
min. typ. max. Unit 単位
最小 標準 最大
Tj125, VDVDRM
100 mA
Tj125, VRVRRM
100 mA
IT500A
Tj25
Tj125
Tj25
Tj125
VD6V, IT1A
1.4 V
1.07
0.87
V
1.50
0.96
mΩ
100 mA
VD6V, IT1A
3V
Tj125, VD½VDRM
0.25 V
IT160A, IG100mA, VD½VDRM, dIG/dt0.1A/μs
10 μs
Tj125, VD=⅔VDRM, exp. waveform 1000
V/μs
140 mA
cont., Junction to case, per one element
接合部―ケース間 cont., 単位エレメント当り
sin.180°, Junction to case, per one element
接合部―ケース間, sin.180°, 単位エレメント当り
rec.120°, Junction to case, per one element
接合部―ケース間, rec.120°, 単位エレメント当り
Case to Heat sink, per one element
ケース―ヒートシンク間, 単位エレメント当り
Thermal conductivitySilicon grease)=7×103 W/㎝・℃]
シリコングリスの熱伝導率=7×103W/㎝・℃]
230 mA
0.17 /W
0.18
/W
0.19
0.1 /W
*mark: Thyristor and Diode part. No mark: Thyristor part.
注)上表中*印の項目は、サイリスタ部及びダイオード部の両方に適用します。その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。

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SCA(SCE)160DA