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2N2222A(3DG2222A)
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于一般放大
Purpose: General purpose amplifier.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO 75 V
VCEO 40 V
VEBO 6.0 V
IC 600 mA
PC 625 mW
Tj 150 ℃
Tstg
-55~150
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
IEBO
IEBO
hFE
VCE(sat)(1)
VCE(sat)(2)
VBE(sat)(1)
VBE(sat)(2)
fT
Cob
ton
toff
NF
测试条件
Test condition
IC=10μA
IE=0
IC=10mA
IB=0
IE=10μA
IC=0
VCB=60V
IE=0
VEB=3.0V
IC=0
VEB=5.0V
IC=0
VCE=10V
IC=150mA
IC=150mA
IB=15mA
IC=500mA
IB=50mA
IC=150mA
IB=15mA
IC=500mA
IB=50mA
VCE=20V IC=20mA f=100MHz
VCB=10V IE=0
f=1.0MHz
VCC=30V
VBE(OFF)=0.5V
IC=150mA
IB1=15mA
VCC=30V IC=150mA IB1=IB2=15mA
IC=100μA
VCE=10V
RS=1.0KΩ
f=1.0KHz
最小值
Min
75
40
6.0
100
300
数值
Rating
典型值
Typ
0.6
最大值
Max
0.01
0.01
0.1
300
0.3
1.0
1.2
2.0
8.0
35
285
4.0
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
V
V
MHz
pF
ns
ns
dB
http://www.lzg.so

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2N2222A(3DG2222A)
佛山市蓝箭电子有限公司
FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.