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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4515 A6
R
产品概述
3DD4515 A6 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
产品特点
开关
反向漏电流小
特性好
合适的开关
可靠性高
应用
充电器
电源转换
一般功率开关电
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot Tc=25℃)
450
1.5
50
单位
V
A
W
封装 TO-126
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
800
450
9
1.5
3.0
0.75
1.5
1.25
50
150
-55150
最小值
典型值
2012
最大值
2.5
100
E
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
单位
/W
/W
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3DD4515 A6
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=800V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.2A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.2A
IC=0.5A, IB=0.1A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=0.5A, IB=0.1A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.1A
下降时间
tf
特征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 20~25~30~35
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
800
450
9
20 35
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.75 0.9
0.4 0.8 V
1 1.5 V
2 5 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
引线框
0.1%
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
十二烷
HBCDD
0.1%
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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3DD4515 A6
R
特性曲线
10
1
0.1
0.01
安全工作区(单脉冲)
DC
Ta=25
100μs
1ms
10ms
0.001
1
10 100 1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
0.5
Ta=25
0.25
Ptot Ta 关系曲线
50
40
With Infinite Heatsink
30
20
10
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
Ta= -55
10
IB=2mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1 Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=5
1
集电极电流 IC (A)
10
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
10
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
1.2
1
Ta=25
0.8
Ta=125
0.6
0.4
0.01
IC/IB=5
0.1 1
集电极电流 IC (A)
10
2012
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外形图:TO-126
3DD4515 A6
R
项目
A
B
C
C1
E
F
G
H
K
TO-126
L TO-126-T
TO-126-S
N
(mm)
最小 最大
7.30 7.90
10.30
11.10
2.50 2.80
1.07 1.47
0.60 0.80
0.30 0.60
1.17 1.37
1.90 2.30
3.90 4.10
15.00
17.00
8.50 9.50
5.00 6.20
2.09 2.49
2.90 3.30
包装说明
1产品的小包装采用 400 /塑料袋包装;
2产品中包装采用 10 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 5 /的大号纸板箱包装
注意事项
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪14
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
话:0510-8580 7228
真:0510-8580 0864
市场营销部 邮编:214061
话:0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mailsales@hj.crmicro.com. 真:0510-8580 0360 / 8580 3016
服务 话:0510-8180 5243
真:0510-8180 5110
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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