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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DG44
R
产品概述
3DG44 NPN 型功
率开关晶体管,该产品采
用平面工艺,硅单晶重
杂衬底材料压环终端
提高了产品击穿
电压开关和可靠性。
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
特性好
合适的开关
可靠性高
应用
●电子镇流器中 PFC
电路
一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
400
0.3
0.625
V
A
W
封装 TO-92
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
内部结构图
C
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
500
400
9
0.3
0.6
0.15
0.3
0.625
150
-55150
E
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
200
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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3DG44
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=500V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=10V, IC=10mA
发射极正向电流传输比静态hFE1 VCE=10V, IC=50mA
集电极-发射极饱和电压
VCE
*
sat
IC=50mA, IB=5mA
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=50mA, IB=5mA
特征频
fT
VCE=10V, IC=50mA
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 100~150~200
R
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
500
400
9
100 200
45
0.13 0.5
1
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
5 MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
0.1%
引线框
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
十二烷
HBCDD
0.1%
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
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3DG44
特性曲线
1
安全工作区(单脉冲)
100μs
0.1
0.01
DC
1ms
10ms
0.001
Ta=25
0.0001
1
10 100
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
20
1000
Ta=25
10
R
Ptot Ta 关系曲线
1
0.8
0.6
0.4
Without Heatsink
0.2
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
1000
VCE=5V
Ta=125
Ta=25
100 Ta= -55
IB=10μA
0
0 4 8 12 16 20
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
Ta=25
0.1
0.01
0.01
IC/IB=10
0.1
集电极电流 IC (A)
1
无锡华润华晶微电子有限公司
10
0.001
0.01 0.1
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1
1
Ta=25
Ta=125
0.5
0
0.001
IC/IB=10
0.01 0.1 1
集电极电流 IC (A)
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外形图:TO-92
3DG44
项目
A
B
C
D
E
F
L
N
包装说明
袋装:
1产品的小包装采用 1000 /塑料袋包装;
2产品的中包装采用 10 /的中号纸盒包装;
3产品的大包装采用 8 /的大号纸板箱包装
编带:
外形图:
R
(mm)
最小
最大
4.30 4.90
4.30 4.90
3.20 3.80
1.20 1.40
0.40 0.60
0.30 0.50
12.70
15.50
1.07 1.47
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3DG44
R
项目
引线口径
引线编入胶带内长
间距
送孔心间距
送孔心至件中心间距
符合
d
L1
P
P0
P2
数 值(mm)
0.5±0.05
2.5min
12.7±0.1
12.7±0.3
6.35±0.4
备注
典型值
累计误差±1.0/20 个间距
引线间距
F1,F2
2.6
倾斜
h,p
0±1.0
纸带
W
18.0 +1.0
0.5
熔胶带
W0
6.0±0.3
W1 9.0±0.5
胶带与纸带相对位
W2
0.5MAX
从带心至底部距离
H
19.0±1.0
引线弯曲距离
H0
16.0±0.5
至纸带心距
H1
23.0H132.25
送孔
ФD0
4.0±0.2
总纸厚t 0.6±0.2
颈根 H* 1.5-2.0
引线切断后至孔相对
L
11.0MAX
包装说明
1产品的小包装采用 2000 /的中号纸盒包装;
2产品的大包装采用 15 /的大号纸板箱包装
注意事项
纸厚0.4±0.02
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 国江苏无锡市梁溪14
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
话:0510-8580 7228
真:0510-8580 0864
市场营销邮编:214061
话:0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mailsales@hj.crmicro.com. 真:0510-8580 0360 / 8580 3016
服务 话:0510-8180 5243
真:0510-8180 5110
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
5/5