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产品概述
3DD4550 A4 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
了产品的击穿电压、开
关速和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4550 A4
R
产品特点
击穿电压高
二次耐量好
高温特性
合适开关速
可靠性
应用
电子镇流器
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
450
5
40
封装 TO-252
单位
V
A
W
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
1050
450
18
5
10
2.5
5
1.2
40
150
-55150
最小值 典型值
2012
最大值
3.1
104
E
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
单位
/W
/W
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3DD4550 A4
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=1050V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=18V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.1A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.1A
IC=3.5A, IB=1A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=3.5A, IB=1A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.5A
下降时间
tf
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
ts 分档 2~2.5~3μs
hFE 分档 48~75~100
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
1050
450
18
48 100
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.7 0.8
0.6 1.5 V
1.0 1.5 V
2 3 μs
1.5 μs
2 μs
有害物质说明
害物质或元素
件名称
要求
Pb
引线框
0.1%
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
HBCDD
0.1%
邻苯邻苯甲 邻苯
甲酸酯 酸丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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特性曲线
100
安全工作区(单脉冲)
3DD4550 A4
R
Ptot Ta 关系曲线
50
10
1
DC
100μs
0.1
0.01
1
Ta=25
10 100
1ms
10ms
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
0.2
Ta=25
40
30
With Infinite Heatsink
20
10
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
Ta=25
Ta= -55
VCE=5V
0.1 10
IB=0.5mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=3
1 10
集电极电流 IC (A)
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
10
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.2
Ta=25
0.7
Ta=125
0.2
0.01
IC/IB=3
0.1 1 10
集电极电流 IC (A)
2012
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3DD4550 A4
R
外形图:TO-252
项目
(mm)
最小 最大
A 6.30 6.80
B 5.20 6.20
C 2.10 2.50
D 0.40 0.60
E1 0.60 0.80
E2 0.70 0.90
F 0.40 0.60
G 0.80 1.00
L1 9.70 10.20
L2 2.70 3.10
H 0.60 0.90
M 5.10 5.50
N 2.09 2.49
包装说明
料条:
1产品的小包装采用 75 /条的包装;
2产品中包装采用 40 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 10 /的大号纸板箱包装
R
T
Y
0.3
1.40
5.10
1.60
6.30
盘装:
1产品的小包装采用 2500 /包装;
2产品中包装采用 2 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 4 /的大号纸板箱包装
注意事项
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪路 14
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
话:0510-8580 7228
真:0510-8580 0864
市场营销邮编:214061
话:0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mailsales@hj.crmicro.com. 真:0510-8580 0360 / 8580 3016
服务 话:0510-8180 5243
真:0510-8180 5110
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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