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深圳市鹏爱半导体有限公司
SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD
D882M
主要用途:
高频放大电路、应急灯、电动玩具控制电路。
主要特点:
硅外延平面工艺、输出特性好、电流容量大。
封装形式:
TO-126
TEL:0755-27656829
FAX:0755-23443106
NPN
极限值TC=25℃)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高工作温度
贮存温度
电特性TC=25℃)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-发射极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
特征频率
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Icm
Pcm
Tj
Tstg
额定值
40
30
6
3
35
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Ice0
Icb0
Ieb0
Hfe
Vcesat
fT
测试条件
IC=1mA IB=0
Ic=1mA IE=0
IE=1mA IC=0
Vce=30V IB=0
Vcb=40V IE=0
Veb=7V Ic=0
Vce=2V Ic=1A
Ic=2A Ib=0.2A
Vce=5V Ic=0.1A
f=10MHz
额定值
最小值
最大值
30
40
6
20
10
10
100 400
0.6
50
单位
V
V
V
uA
uA
uA
MHZ
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1

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SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD
特性曲线
TEL:0755-27656829
FAX:0755-23443106
静态输出特性
1
1.0mA
0.8
0.8mA
0.6 0.6mA
0.4 0.4mA
0.2mA
0.2
Ib=0
0 2 4 6 8 10
VceV)集电极-发射极电压
HFE 直流电流增益- Ic 集电极电流
500
400
300 Vce=2V
200
100
1
0.01
0.1 1
IcA)集电极电流
2
3
Vcesat)集电极 - 发射极饱和压降- Ic 集电极电流
2
Ic=10Ib
1
0.1
0 0.1
123
IcA)集电极电流
Pc 耗散功率- Tj 结温
75
60
45
30
15
0 40 80 120 160 200
Tj(℃)结温
SOADC)安全工作区
10
5
1
0.1
0.01
0.1
1 10
VceV)集电极-发射极电压
100
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2

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SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD
产品尺寸
TO-126
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FAX:0755-23443106
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