EMS30D12E.pdf 데이터시트 (총 4 페이지) - 파일 다운로드 EMS30D12E 데이타시트 다운로드

No Preview Available !

 
 
Dual HighVoltage Trench Barrier Schottky Rectifier 
Product Summary: 
VRRM 
VF @ IF=15A 
IF(AV) 
120V 
0.66V 
2 x 15A 
 
Trench Schottky Technology 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 
Maximum Average Forward Rectified Current 
Per device
Per diode 
VRRM 
IF(AV) 
Peak Forward Surge Current 8.3mS Single Half Sinewave 
Superimposed on Rated Load per Diode 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
IFSM 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2015/4/30 
 
EMS30D12E
LIMITS 
120 
30 
15 
150 
40 to 150 
UNIT 
V 
A 
°C 
MAXIMUM 
2.8 
UNIT 
°C / W 
p.1 

No Preview Available !

 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMS30D12E
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
Breakdown Voltage 
Instantaneous Forward Voltage per 
Diode 
Reverse Current per Diode 
VBR 
VF1 
IR2 
1Pulse test : 300 s Pulse Width, 1  Duty Cycle. 
2Pulse Width ≤ 40ms. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
IR=1.0mA 
120   
  V 
IF=7.5A 
IF=15A 
IF=7.5A 
IF=15A 
TA = 25 °C 
TA = 125 °C 
  0.62  
  0.78 0.90
  0.55  
  0.66 0.77
V 
VR = 90V 
TA = 25 °C 
TA = 125 °C 
 
 
7 
8 
  uA
  mA
VR = 120V 
TA = 25 °C 
  20 100 uA
TA = 125 °C    20 35  mA
2015/4/30 
p.2 

No Preview Available !

 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EM30D12E for TO220 
 
 
 
 
  S30
D12
S30D12: Device Name 
 
ABCDEFG
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
Outline Drawing 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Dimension in mm 
 
EMS30D12E
Dimension  A  b  b1  c  c2  E  L1  L2  L3  L4  ø  e  f  g  h 
Min. 
4.20  0.70  0.90 0.30  1.10  9.80  2.55 6.10 14.80 13.50 3.40 2.35  1.30  3.40  2.40
Max. 
4.80  1.10  1.50 0.70  1.50  10.50 2.85 6.50 15.40 14.50 3.80 2.75  1.90  3.80  3.00
 
2015/4/30 
p.3 

No Preview Available !

 
Forw ard Current D erating Curve
35
30
25
20
15
10
5
0
0
25 50
75 100
125 150
175
Tc ,C a se  T e m p e ra tu re ( °C   )
100 Typical Reverse Characteristics Per Diode
10 150°C
125°C
1
0.1
0.01
TA= 25°C
0.001
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
P e rce n ta g e  o f R a te d  P e a k  R e ve rse  V o lta ge ( %  )
10000 T y p i c a l  J u n c t i o n  C a p a c i t a n c e
f    = 1 M H z
T J  = 2 5 °C
VS  I  G = 1 0 m VP ‐ P
1000
100
10
0.1 1
10 100
R e v e r s e  V o l t a g e ( V )
 
T y p i c a l  I n s t a n t a n e o u s  F o r w a r d
C h a r a c t e r i s t i c s  P e r  D i o d e
100
10 T A  = 150°C
125°C 25°C
1
EMS30D12E
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I n s t a n t a n e o u s  F o r w a r d  V o l t a g e ( V )
Forward Power Loss Characteristics Per Diode
21
18
D = 0.8 D = 1
15 D = 0.5
D = 0.2 D = 0.3
12
D = 0.1
9
6
3 t1 t2
0
D =
t1
t2
0
2
4
6
8
10 12 14
16 18
Average Forward Curret ( A )
Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
10
1
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1 1 10
t ‐ Pulse Duration( S )
100
2015/4/30 
p.4