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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF9N060
●特点:热阻低 导通电阻低 栅极电荷低,开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
FEATURES:■LOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE
CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT
●应用:低压高频逆变电路 同步整流 开关
APPLICATION: LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS SYNCHRONOUS RECTIFIER
PRIMARY SWITCH
●最大额定值(TC=25°C
Absolute Maximum RatingsTc=25°C
SOP-8
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
SYMBOL VALUE UNIT
-源电压
Drain-source Voltage
VDS 60
V
-源电压
gate-source Voltage
VGS ±20
V
漏极电流
Continuous Drain Current
ID 9* A
TC=25
耗散功率
Total Power Dissipation
Ptot
2.6*
W
最高结温
Junction Temperature
Tj 150 °C
存储温度
Storage Temperature
TSTG
-55-175
°C
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy EAS 88
mJ
●电特性(Tc=25°C
Electronic CharacteristicsTc=25°C
参数
PARAMETER
-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
符号
SYMBOL
BVDSS
VGS(TH)
测试条件
TEST CONDITION
VGS=0V, ID=250µA
VGS=VDS, ID=250µA
-源漏电流
Drain-source Leakage Current
栅极漏电流
Gate-body Leakage
Current
-源导通电阻
Static Drain-source On
Resistance
IDSS
IGSS
RDS(ON)
VDS =60V,
VGS =0V, Tj=25°C
VDS =60V,
VGS =0V, Tj=125°C
VGS =±20V ,VDS =0V
VGS =10V, ID=9A
跨导
Forwad Transconductance
gFS
VDS =5V, ID=9A
最小值
MIN
60
典型值
TYP
68
最大值
MAX
单位
UNIT
V
1.2 1.8 2.2 V
1 µA
10 µA
±100
nA
11 15 mΩ
18 S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material 无卤塑封料/Halogen Free
SOP-8 条管装/TUBE PACKING
SIF9N060 SOP-8-TU
SIF9N060 SOP-8-TU-HF
SOP-8 编带装/TAPE & REEL PACKING
SIF9N060 SOP-8-TR
SIF9N060 SOP-8-TR-HF
Si semiconductors 2015.8
1

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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET
产品规格书
Product Specification
SIF9N060
参数
PARAMETER
输入电容
Input Capacitance
输出电容
Output Capacitance
反向传输电容
Reverse Transfer Capacitance
栅极电荷
Total Gate Charge
栅源电荷
Gate-to-Source Charge
栅漏电荷
Gate-to-Drain Charge
栅极开启电荷量
Gate Charge At Threshold
导通延迟
Turn -On Delay Time
开启上升时间
Turn -On Rise Time
关断延迟
Turn -Off Delay Time
关断下降时间
Turn -Off Fall Time
二极管正向压降
Diode Forward Voltage
反向恢复时间
Reverse Recovery Time
反向恢复电荷
Reverse Recovery Charge
符号
SYMBOL
Ciss
Coss
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Qg(th)
Td(on)
Tr
Td(off)
Tf
VSD
trr
Qrr
测试条件
TEST CONDITION
VGS = 0V, VDS = 30V
F = 1.0MHZ
ID =8A, VDS = 30V
VGS = 10V
VDD=30V, RL=1Ω
VGS = 10V, RGEN=3Ω
Tj=25°C, IF=9A
VGS =0V
If=9Adi/dt=100A/μs
Tj=25°C,
最小值
MIN
典型值
TYP
最大值 单位
MAX UNIT
2180
172 pF
142
58 nC
8 nC
17 nC
6 nC
8.5 ns
6 ns
30 ns
5 ns
0.8 1.2 V
30 ns
44 nC
●热特性
Thermal Characteristics
参数
PARAMETER
热阻结-
Thermal Resistance Junction-case
符号
SYMBOL
RthJA
最小值
MIN
典型值
TYP
注释(Notes):
以最高结温为限制, Tc=25℃时测试。
ID & PD base on maximum allowable junction temperature, test at Tc=25.
初始结温=25oC, L=0.1mH.
Starting Tj=25oC,L=0.1mH
脉冲测试:脉冲宽度≤ 300μs ,占空比≤ 2%
Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%
最大值
MAX
48
单位
UNIT
/W
Si semiconductors 2015.8
2

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N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET
● 特性曲线
产品规格书
Product Specification
SIF9N060
1 输出特性曲线, Tc=25
2 转移特性曲线
3 导通电阻与漏极电流 曲线
4 导通电阻与结温度 曲线
5 栅电荷 曲线
Si semiconductors 2015.8
6.二极管正向压降与源极电流 曲线
3

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N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET
● 特性曲线
产品规格书
Product Specification
SIF9N060
7 电容特性曲线
8 SOA 曲线
9 电流-温度曲线
10 耗散功率-温度 曲线
11 标准化瞬态热阻曲线
Si semiconductors 2015.8
4

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产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
A1
A2
A3
B
B1
B2
最小值
min
4.80
0.37
5.80
3.80
SOP8 封装机械尺寸
SOP8 MECHANICAL DATA
单位:毫米/UNITmm
典型值
最大值
符号
最小值
典型值
最大值
nom
max
SYMBOL
min
nom
max
5.00 C 1.30
1.50
0.47 C1 0.55
0.75
1.27 TYP
C2 0.55
0.65
0.41 TYP
C3 0.05
0.20
6.20
C4
0.19
0.20TYP
0.23
4.00
D
1.05TYP
5.0TYP
D1 0.40
0.62
Si semiconductors 2015.8
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