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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
NPN D 系列晶体管/D SERIES TRANSISTORS
BLD101D
●特点:耐高压 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
FEATURES:■HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
●应用:节能灯 电子镇流器
APPLICATION: FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
● 最大额定值(Tc=25°C
Absolute Maximum RatingsTc=25°C
TO-92/92S
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
SYMBOL VALUE
UNIT
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
VCBO
500
V
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCEO
400
V
发射极-基极电压
Emitter- Base Voltage
VEBO
9
V
集电极电流
Collector Current
IC 0.3 A
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
Ptot 7
W
最高工作温度
Junction Temperature
Tj 150 °C
贮存温度
Storage Temperature
Tstg -65-150
●电特性(Tc=25°C
Electronic CharacteristicsTc=25°C
°C
参数名称
符号
测试条件
CHARACTERISTICS
SYMBOL TEST CONDITION
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
ICBO
VCB=500V
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
ICEO
VCE=400V,IB=0
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
VCBO
IC=1mA,IE=0
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCEO
IC=10mA,IB=0
发射极 -基极电压
Emitter- Base Voltage
VEBO
IE=1mA,IC=0
最小值
MIN
500
400
9
最大值
MAX
100
250
单位
UNIT
μA
μA
V
V
V
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
Vbesat
IC=0.05A, ,IB=0.01A
IC=200mA,IB=50mA
IC=50mA,IB=10mA
0.30
0.50
1.1
V
V
电流放大倍数
DC Current Gain
贮存时间/Storage Time
下降时间/Falling Time
内置二极管正向压降
Diode Forward Voltage
VCE=5V,IC=1mA
7
hFE VCE=20V,IC=20mA
10
40
VCE=5V,IC=250mA
5
tS
tf
VCC=5V,IC=0.1A
(UI9600)
1.0
2.0
0.8
µs
VF IF=0.15A
1.9 V
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Nornal Package Material 无卤塑封料/Halogen Free
TO-92 普通袋装/NORMAL PACKING
BLD101D TO-92
BLD101D TO-92-HF
TO-92S 普通袋装/NORMAL PACKING
BLD101D TO-92S
BLD101D TO-92S-HF
TO-92 盒式编带/AMMOPACK
BLD101D TO-92-AP
BLD101D TO-92-AP-HF
Si semiconductors 2013.1
1

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NPN D 系列晶体管/D SERIES TRANSISTORS
SOA (DC)
%
120
产品规格书
Product Specification
BLD101D
PtotTj
100
80
60
Ptot
40
IS/B
20
0
0 50 100 150 Tj(℃)200
100 hFE
hFE - Ic
Vce=1.5V
Tj=25℃
Tj=125℃
100 hFE
hFE - Ic
Vce=5V
Tj=125℃
Tj=25℃
10 Tj=-40℃
10 Tj=-40℃
1
0.001
1 Vces(v)
0.01
0.1
Vcesat - Ic
Tj=125℃
Ic(A)
1
Tj=-40℃
0.1 Tj=25℃
0.01
0.01
0.1
Si semiconductors 2013.1
Ic(A)
1
1
0.001
0.01
0.1
1.2 Vbes(v)
Vbesat - Ic
1 Tj=-40℃
0.8
0.6
Tj=25℃
0.4
Tj=125℃
0.2
0
0.01
0.1
Ic(A)
1
Ic(A)
1
2

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产品规格书
Product Specification
符号/SYMBOL
A
b
c
φD
D
d
E
e
e1
L
L1
TO-92 封装机械尺寸
TO-92 MECHANICAL DATA
最小值/min
4.30
0.30
0.30
典型值/nom
单位:毫米/UNITmm
最大值/max
5.30
0.55
0.50
4.30 5.20
1.00
3.20
12.70
1.50
2.54
1.27
1.70
4.20
15.00
2.00
Si semiconductors 2013.1
3

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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
TO-92S 封装机械尺寸
TO-92S MECHANICAL DATA
符号/SYMBOL
A
b
c
D(φD)
d
E
F
L
L1
最小值/min
4.30
0.30
0.30
4.30
1.00
3.20
2.25
3.20
2.60
典型值/nom
2.40
产品规格书
Product Specification
单位:毫米/UNITmm
最大值/max
5.30
0.55
0.50
5.20
1.70
4.20
2.55
3.80
2.70
Si semiconductors 2013.1
4