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F15F60C3M
600V15A
特長
低オン抵抗
高速スイッチング
絶縁タイプ
Feature
LowRON
FastSwitching
IsolatedPackage
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220A
0000
15F60C3M
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,referto ourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
Vdis
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR
(推奨値:0.3Nm
(Recommendedtorque:0.3Nm)
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc= 25℃)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=600V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS= ±30V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=7.5A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R(DS)ON
ID= 7.5A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThressholdVoltage
VTH ID=0.5mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwadeVoltage
VSD
IS=7.5A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc
接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VGS=10V,ID=15A,VDD=400V
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS= 25V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=7.5A,VDD=150V,RL=20Ω
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)= 10V,VGS(-)= 0V
下降時間
Falltime
tf
規格値
Ratings
-55~150
150
600
±30
15
45
15
55
2
0.5
単位
Unit
V
A
W
kV
N・m
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
600
6.0
2.1
──
V
─ 25
μA
─ ±0.1
11.9 ─
S
0.25 0.28 Ω
3.0 3.9
─ 1.5
V
─ 2.27 ℃/W
56 ─ nC
1600 ─
40 ─ pF
510 ─
26 ─
42 ─
240 ─
ns
36 ─
MOSFET2010.06〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/

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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
F15F60C3M
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
MOSFET2010.06〉)

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