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2SA733M(3CG733M)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于音频功率放大推动级。/Purpose: Driver stage of AF power amplifier.
特点:hFE 高、特性好。/Features: High hFE and excellent hFE linearity.
极限参数/Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO -60 V
VCEO -50 V
VEBO
-5.0
V
IC
-150
mA
IB -20 mA
PC 200 mW
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test Condition
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
NF
VCB=-60V
IE=0
VEB=-5.0V
IC=0
VCE=-6.0V
IC=-1.0mA
IC=-100mA
IB=-10mA
VCE=-6.0V
IC=-1.0mA
VCE=-6.0V
IC=-10mA
VCB=-10V
VCE=-6.0V
f=100Hz
IE=0 f=1.0MHz
IC=-0.3mA
Rg=10kΩ
最小值
Min
90
-0.55
100
数值
Rating
典型值
Typ
-0.18
-0.62
180
4.5
6.0
最大值
Max
-0.1
-0.1
600
-0.3
-0.65
6.0
20
单位
Unit
μA
μA
V
V
MHz
pF
dB
h 分档FE(1)
/hFE(1)
Classifications:
hFE(1)分档
hFE(1)Classifications
R
hFE(1)范围
hFE(1) Range
90~180
印章
Marking
HDRR
Q
135~270
HDRQ
P
200~400
HDRP
K
300~600
HDRK
http://www.lzg.so

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2SA733M(3CG733M)
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