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上海智浦欣微电子有限公司
Chipstar Micro-electronics
CS8575S
A B /D 切换,3.1 W×2, 双通道带 立 体 声 耳 机 模 式D类 音 频 放 大 器
概要
CS8575S是 一 款 带AB/D切 换 , 双 桥 音 频 功 率 放 大 器 芯
片 , 采 用5.0V 电 源 供 电 ; 在THD+N 等 于10情 况 下 ,
能为一个4Ω 的负载提供3.1W 的连续功率。此外,当接
立体耳机时,芯片可以单端工作模式驱动立体耳机。
C S 8 5 7 5 S双 通 道 音 频 功 率 放 大 器 是 为 需 要 输 出 高 质 量 音
频功率的系统设计的,它采用表面贴装技术,只需少量
的外围器件,便使系统具备高质量的音频输出功率
C S 8 5 7 5 S采 用 双 通 道 设 计 使 芯 片 具 有 了 桥 式 联 接 扬 声 器
放大和单终端立体耳机放大两种工作模式,简化了音频
系统的外围电路设计。
C S 8 5 7 5 S内 置 了 低 功 耗 待 机 电 路 和 过 热 保 护 电 路 , 同 时
内置了杂音消除电路,可以消除芯片启动和关断过程中
的咔嗒声或噼噗声。
C S 8 5 7 5 S提 供 了S O P 1 6 L封 装 形 式 , 额 定 的 工 作 温 度
范围为-40℃至85℃
封装
ŸSOP16L
描述
每通道输出功率(D类模式) 每通道输出功率(AB类模式)
PO at 10% THD+N, VDD =5V PO at 10% THD+N, VDD =5V
RL = 8 Ω 1.60W(每通道)
RL = 8 Ω 1.40W(每通道)
RL = 4 Ω 3.20W(每通道)
RL = 4 Ω 2.80W(每通道)
PO at 10% THD+N, VDD =3.6V PO at 10% THD+N, VDD =3.6V
RL = 8 Ω 0.90W(每通道)
RL = 8 Ω 0.80W(每通道)
RL = 4 Ω 1.70W(每通道)
RL = 4 Ω 1.50W(每通道)
Ÿ工作电压范围:2.7V5.5V
Ÿ“咔嗒声和噼噗声”抑制电路
ŸSE模式 ,RL=32Ω,输出平均功率75mW,THD(max)<0.1%
Ÿ低关断电流 (<0.1µA)
Ÿ过流保护,短路保护和热保护
Ÿ符合Rohs的无铅封装
应用:
ŸLCD-TV
Ÿ笔记本电脑
Ÿ数码相框
ŸUSB接口的扬声器
典型应用线图
30K 6 INA
10uf
1uf
4,13
PVDD
30K 11 INB
300K
8
NC
10nF
SD: 0----芯片工作
1----芯片关断
MODE:0----AB类模式
9
1----D类模式
Cb=2.2uF
MODE
CS8575S
PGND 2,7,15
CS8575S 应用线路图
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Oct,2013 Rev.1.0
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管脚排列以及描述(图2)
CS8575S
管脚说明
CS8575S管脚
1
2,7,15
3
4,13
5
6
8
9
10
11
12
14
16
SHUTDOWN
GND
OUTA+
VDD
OUTA-
INA
GND
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16 HP-IN
15 GND
14 OUTB+
13 VDD
12 OUTB-
11 INB
10 BYPASS
9 MODE
SOP16L
(Top View)
说明
SHUTDOWN
GND 
OUTA+
V DD
OUTA-
INA
NC
MODE
BYPASS
INB
OUTB-
OUTB+
HP-IN
输入/输出
输入
输出
电源
输出
输入
输入
输入
输入
输出
输出
输入
功能
关断端口,高电平关断
接地端
正向输出端A
电源端
反向输出端 A
音频信号输入端A
NC管脚
AB/D切换管脚,置高为D类模式,置低为AB类模式
电压基准端
音频信号输入端B
反向输出端B
正向输出端B
耳机/立体模式选择
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极限参数表 1
 参数
VDD
VI
TJ
TSDR
TSTG
无信号输入时供电电源
输入电压
结工作温度范围
引脚温度(焊接15秒)
存储温度范围
描述
推荐工作环境
参数
VDD
TA
Tj
描述
电源电压
环境温度范围
结温范围
热效应信息
参数
JA
JC
描述
封装热阻---芯片到环境热阻
封装热阻---芯片到封装表面热阻
订购信息
产品型号
CS8575S
封装形式
SOP16L
器件标识
XXXX
CS8575S
CS8575S
数值
6.0
-0.3 to VDD+0.3
-40 to 150
220
-65 to 150
单位
V
V
数值
2.7~5.5
-40~85
-40~150
单位
V
数值
20
80
单位
℃/W
℃/W
包装尺寸
卷带宽度
管装
数量
50
ESD 范围
ESD 范围HBM(人体静电模式) ----------------------------------------------------------- ±4kV
ESD 范围 MM(机器静电模式) -----------------------------------------------------------±400V
1. 上述参数仅仅是器件工作的极限值,不建议器件的工作条件超过此极限值,否则会对器件的可靠性及寿命产生影
响,甚至造成永久性损坏。
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电气参数 (VDD=5V, TA =25, 除非特殊说明)
参数
描述
测试条件
VDD
供电电源
IDD 静态电流
ISD
VIH(SD)
VIL(SD)
VIH
VIL
关断电流
SD输入高电平
SD输入低电平
HP,ABD输入高电平
HP,ABD输入低电平
VIN=0V,IO=0A,HP-IN=0V
VIN=0V,IO=0A,HP-IN=4V
Shutdown管脚接地
CS8575S
CS8575S
最小值 典型值
2.7
10
7
0.04
1.4
VDD-1
最大值
5.5
13
1
0.4
0.9
单位
V
V
mA
µA
V
V
V
V
桥接模式电气特性 (VDD=5V, TA =25, 除非特殊说明,测试数据针对产品的D类模式)
参数
描述
测试条件
CS8575S
典型值 极限值
单位
Vos 输出失调电压
Po 输出功率
VIN = 0V
D类模式
THD+N = 10 %,f = 1kHz ,RL=4Ω,VDD=5V
THD+N = 1 %,f = 1 kHz ,RL=4Ω,VDD=5V
5
3.10
2.60
50 mV(max)
W
W
THD+N =10%,f = 1kHz ,RL=4Ω,VDD=5V
AB类模式 THD+N = 1 %,f = 1 kHz ,RL=4Ω,VDD=5V
2.80
2.30
W
W
THD+N=1%,f=1kHz,RL=32Ω,VDD=5V(D类模式)
TWU
启动时间
THD+N
PSRR
总谐波失真
电源抑制比
XTALK
SNR
通道隔离度
信噪比
VDD=5.0V,Cbypass=2.2μF
20 Hz f 20 kHz,A VD= 2, RL=8Ω,PO=1W
VDD = 5V, VRIPPLE = 200mVRMS ,R L = 8Ω,
CB = 1.0uF
f = 1 kHz, CB = 1.0 μF
VDD = 5V, PO = 1.1W, RL = 8Ω
单端模式电气特性 (VDD=5V, TA =25, 除非特殊说明)
参数
Vos
Po
描述
输出失调电压
输出功率
THD+N 总谐波失真
PSRR
XTALK
SNR
电源抑制比
通道隔离度
信噪比
测试条件
VIN = 0V
THD+N=0.5%,f=1kHz,RL=32Ω
THD+N=1%,f=1kHz,RL=8Ω
THD+N=10%,f=1kHz,RL=8Ω
20 Hz f 20 kHz,A VD= -1,PO=75mW,RL=32Ω
VRIPPLE = 200mVRMS ,R L = 8Ω, CB = 1.0uF
f = 1 kHz, CB = 1.0 μF
VDD = 5V, PO = 340mW, RL =8Ω
0.37 W
400 ms
0.1 %
67 dB
90 dB
98 dB
CS8575S
典型值 极限值
单位
5 50 mV (max)
85 75 mW(min)
340 mW
440 mW
0.02 %
52 dB
60 dB
95 dB
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典型特征曲线(D类模式)
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10m
20m 50m 100m 200m 500m 1
Figure 3, THD+N vs. Output Power
5V, 8Ohm, BTL at f=1 kHz
1.5
20
10
1
0.5
0.2
0.1
0.01
0.001
1m 2m
5m 10m 20m 50m
Figure 5. THD+N vs. Output Power
SE mode, 5V, 32Ohm, f=1 kHz
200m
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10m 20m 50m 100m
500m 1 2 3.1
Figure 7. THD+N vs. Output Power
BTL mode, 5V, 4Ohm, f=1 kHz
CS8575S
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1m 2m 5m 10m 20m
100m
500m 1
Figure 4. THD+N vs. Output Power
3V, 8Ohm, BTL at f=1 kHz
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1m
2m 3m 5m 7m 10m 20m 30m 60m
Figure 6. THD+N vs. Output Power
SE mode, 3V, 32Ohm, f=1 kHz
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10m 20m 50m 100m 200m 500m 1
Figure 8. THD+N vs. Output Power
BTL mode, 3V, 4Ohm, f=1 kHz
2
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