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Semiconductor
This version: Apr. 13. 1999
MSC23V43257D-xxBS8
4,194,304-word x 32-bit DYNAMIC RAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
DESCRIPTION
The MSC23V43257D-xxBS8 is a 4,194,304-word x 32-bit CMOS dynamic random access memory module which is
composed of eight 16Mb(4Mx4) DRAMs in TSOP packages mounted with eight decoupling capacitors. This is an
100-pin dual in-line memory module. This module supports any application where high density and large capacity of
storage memory are required.
FEATURES
· 4,194,304-word x 32-bit organization
· 100-pin Dual In-line Memory Module
· Gold tab
· Single 3.3V power supply, ±0.3V tolerance
· Input : LVTTL compatible
· Output : LVTTL compatible, 3-state
· Refresh : 2048cycles/32ms
· /CAS before /RAS refresh, hidden refresh, /RAS only refresh capability
· Fast page mode with EDO, read modify write capability
· Multi-bit test mode capability
· Serial Presence Detect
PRODUCT FAMILY
www.DataSheet4U.comFamily
MSC23V43257D-50BS8
MSC23V43257D-60BS8
MSC23V43257D-70BS8
Access Time (Max.)
tRAC
50ns
tAA
25ns
tCAC
13ns
tOEA
13ns
60ns 30ns 15ns 15ns
70ns 35ns 20ns 20ns
Cycle
Time
(Min.)
84ns
104ns
124ns
Power Dissipation (Max.)
Operating
Standby
2880mW
2592mW
14.4mW
2304mW

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Semiconductor
MODULE OUTLINE
MSC23V43257D-xxBS8
90.19Typ.
88.19± 0.2
MSC23V43257D
(Unit : mm)
4.00Max.
2 - R2.0±0.1
1A
6.35± 0.1
B
19.05± 0.1
84.17 Typ.
90.19 ±0.2
C
34.29± 0.1
2 - φ3.0±0.1
50 4.0Min.
1.27±0.1
4.175± 0.13
R1.0
3.175±0.13
R1.0
1.0±0.1
www.DataSheet4U.com
2.0± 0.1
6.35±0.1
Detail A
3.12±0.13
2.0± 0.1
6.35± 0.1
Detail B
3.12±0.13 2.50
0.20
0.23Min.
1.27±0.1
Detail C

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Semiconductor
MSC23V43257D
PIN CONFIGURATION
Front Side
Pin No. Pin Name
1 VSS
2 DQ0
3 DQ1
4 DQ2
5 DQ3
6 VCC
7 DQ4
8 DQ5
9 DQ6
10 DQ7
11 /CAS0
12 VSS
13 A0
14 A2
15 A4
16 A6
17 A8
18 A10
19 NC
20 NC
21 VCC
22 NC
23 NC
24 NC
www.DataSheet4U2.c5om
NC
Back Side
Pin No. Pin Name
51 VSS
52 DQ8
53 DQ9
54 DQ10
55 DQ11
56 VCC
57 DQ12
58 DQ13
59 DQ14
60 DQ15
61 /CAS1
62 VSS
63 A1
64 A3
65 A5
66 A7
67 A9
68 NC
69 NC
70 NC
71 VCC
72 NC
73 NC
74 NC
75 NC
Front Side
Pin No. Pin Name
26 VSS
27 NC
28 /WE
29 /RAS0
30 /RAS2
31 VCC
32 NC
33 NC
34 NC
35 NC
36 VSS
37 /CAS2
38 DQ16
39 DQ17
40 DQ18
41 DQ19
42 VCC
43 DQ20
44 DQ21
45 DQ22
46 DQ23
47 VSS
48 SDA
49 SCL
50 VCC
Back Side
Pin No. Pin Name
76 VSS
77 NC
78 /OE
79 NC
80 NC
81 VCC
82 NC
83 NC
84 NC
85 NC
86 VSS
87 /CAS3
88 DQ24
89 DQ25
90 DQ26
91 DQ27
92 VCC
93 DQ28
94 DQ29
95 DQ30
96 DQ31
97 VSS
98 SA0
99 SA1
100 SA2

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Semiconductor
Serial PD Matrix
Byte No.
Function described
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
9 -60
-70
-50
10 -60
-70
11
12
13
14
15-61
www.DataShee6t42U.com
-50
63 -60
-70
64-127
128-255
Number of Byte used
Total SPD Memory size
Memory type
Number of Rows
Number of Columns
Number of Banks
Module Data Width
Module Data Width Continued
Supply Voltage
/RAS Access Time
/CAS Access Time
DIMM Configuration type
Refresh Rate/Type
Primary DRAM Width
Error Checking DRAM Width
Superset Information
SPD Data Revision Code
Checksum for Byte 0-62
Reserved
Unused Storage Location (Reserved)
MSC23V43257D
SPD Value
(Hex)
80
08
02
0B
0B
01
20
00
01
32
3C
46
0D
0F
14
00
00
04
00
00
01
06
12
21
00
FF
Note
128 Bytes
256 Bytes
EDO
11
11
1
32
0
LVTTL
50ns
60ns
70ns
13ns
15ns
20ns
Non-parity
Normal Refresh
x4
Reserved
1

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Semiconductor
BLOCK DIAGRAM
/OE
/WE
/RAS0
/CAS0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
/CAS /RAS /WE /OE
DQ
DQ
DQ D0
DQ
/CAS1
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
/CAS /RAS /WE /OE
DQ
DQ
DQ D1
DQ
/CAS /RAS /WE /OE
DQ
DQ
DQ D2
DQ
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
/CAS /RAS /WE /OE
DQ
DQ
DQ D3
DQ
MSC23V43257D
/RAS2
/CAS2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
/CAS /RAS /WE /OE
DQ
DQ
DQ D4
DQ
/CAS3
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
/CAS /RAS /WE /OE
DQ
DQ
DQ D5
DQ
/CAS /RAS /WE /OE
DQ
DQ
DQ D6
DQ
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
/CAS /RAS /WE /OE
DQ
DQ
DQ D7
DQ
A0-A10
www.DataSheet4U.com
VCC
VSS
C1-C8
A0-A10 : D0-D7
D0-D7
D0-D7
Serial PD
SCL SCL
SDA SDA
A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2