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Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich
Silicon Photodiode for the visible spectral range
BPW 21
BPW 21
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 820 nm
q Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
q Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
TO-5)
Anwendungen
q Belichtungsmesser für Tageslicht
q Für Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in
der Fotografie und Farbanalyse
Features
q Especially suitable for applications from
350 nm to 820 nm
q Adapted to human eye sensitivity (Vλ)
q Hermetically sealed metal package (similar
to TO-5)
Applications
q Exposure meter for daylight
q For artificial light of high color temperature in
photographic fields and color analysis
Typ
Type
BPW 21
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P885
Semiconductor Group
1
1998-11-13

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BPW 21
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Top; Tstg
TS
VR
Ptot
Wert
Value
– 40 ... + 80
Einheit
Unit
°C
235 °C
10 V
250 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Symbol
Symbol
S
λS max
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
Wert
Value
10 (5.5)
550
350 ... 820
7.34
2.73 × 2.73
1.9 ... 2.3
± 55
Einheit
Unit
nA/lx
nm
nm
mm2
mm × mm
mm
Grad
deg.
Semiconductor Group
2
1998-11-13

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BPW 21
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung
Description
Dunkelstrom
Dark current
VR = 5 V
VR = 10 mV
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 550 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 550 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 550 nm; Ip = 10 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 5 V, λ = 550 nm
Nachweisgrenze, VR = 5 V, λ = 550 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
IR
IR
Sλ
η
VO
ISC
tr, tf
VF
C0
TCV
TCI
NEP
D*
Wert
Value
2 (30)
8 (200)
0.34
0.80
400 (320)
10
1.5
1.2
580
– 2.6
– 0.05
7.2 × 10– 14
1 × 1012
Einheit
Unit
nA
pA
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
µs
V
pF
mV/K
%/K
W
Hz
cm · Hz
W
Semiconductor Group
3
1998-11-13