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Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
BPY 11 P
BPY 11 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1060 nm
q Kathode = Chipunterseite
q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
q Gruppiert lieferbar
Features
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1060 nm
q Cathode = back contact
q Coated with a humidity-proof protective
layer
q Binned by spectral sensitivity
Anwendungen
q für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke
q zur Abtastung von Lichtimpulsen
q quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Applications
q For control and drive circuits
q Light pulse scanning
q Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
Typ
Type
BPY 11 P IV
BPY 11 P V
Bestellnummer
Ordering Code
Q60215-Y111-S4
Q60215-Y111-S5
Semiconductor Group
183
10.95

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BPY 11 P
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Symbol
Symbol
Top; Tstg
VR
Wert
Value
– 55 ... + 100
Einheit
Unit
°C
1V
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Symbol
Symbol
S
λS max
λ
A
L×B
L×W
ϕ
IR
Sλ
η
VO
ISC
Wert
Value
60 (47)
850
420 ... 1060
7.6
1.95 × 4.45
± 60
1 (10)
0.55
0.80
440 (260)
60 (47)
Einheit
Unit
nA/Ix
nm
nm
mm2
mm
Grad
deg.
µA
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
Semiconductor Group
184

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BPY 11 P
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 1 kΩ; VR = 1 V; λ = 850 nm; Ip = 50 µA
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Kapazität, VR = 1 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Symbol
Symbol
tr, tf
TCV
TCI
C0
Fotoempfindlichkeitsgruppen
Spectral sensitivity groups
Typ
Type
BPY 11 P IV
BPY 11 P V
ISC (Ev = 1000 Ix)
47 ... 63 µA
56 µA
Wert
Value
3
– 2.6
0.12
0.8
Einheit
Unit
µs
mV/K
%/K
nF
Semiconductor Group
185