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Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
BPY 64 P
BPY 64 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1060 nm
q Kathode = Chipunterseite
q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
q Weiter Temperaturbereich
Anwendungen
q für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke
q zur Abtastung von Lichtimpulsen
q quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Features
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1060 nm
q Cathode = back contact
q Coated with a humidity-proof protective
layer
q Wide temperature range
Applications
q For control and drive circuits
q Light pulse scanning
q Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
Typ
Type
BPY 64 P
Bestellnummer
Ordering Code
Q60215-Y67
Semiconductor Group
197
10.95

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BPY 64 P
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Symbol
Symbol
Top; Tstg
VR
Wert
Value
55 ... + 100
Einheit
Unit
°C
1V
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Symbol
Symbol
S
λS max
λ
A
L×B
L×W
ϕ
IR
Sλ
η
VO
ISC
Wert
Value
0.25 ( 0.18)
Einheit
Unit
µA/Ix
850 nm
420 ... 1060 nm
0.36
5.98 × 5.98
cm2
mm
± 60
4 (80)
Grad
deg.
µA
0.50 A/W
0.72
450 (280)
Electrons
Photon
mV
0.25 (0.18) mA
Semiconductor Group
198

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BPY 64 P
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 1 kΩ; VR = 1 V; λ = 850 nm; Ip = 50 µA
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Kapazität, VR = 1 V, f = 1 MHz, Ev = 0 Ix
Capacitance
Symbol
Symbol
tr, tf
TCV
TCI
C0
Wert
Value
5
– 2.6
0.2
3
Einheit
Unit
µs
mV/K
%/K
nF
Relative spectral sensitivity
Srel = f (λ)
Open-circuit voltage VO = f (Ev )
Short-circuit current ISC = f (Ev )
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Semiconductor Group
199