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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4515 E1-H
R
产品概述
3DD4515 E1-H 是 硅
NPN 型功率开关晶体管
产品采用平面工艺压环
终端构和少寿命控制
技术了产品击穿
开关和可靠
存储条件和焊接温度
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
高温特性好
适的开关
可靠性高
应用
充电器
适配器
一般功率开关电路
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTA=25℃)
450
1.5
0.8
V
A
W
封装 TO-92
内部结构图
C
B
极限值(除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
Ta=25
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
900
450
9
1.5
3.0
0.75
1.5
0.8
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/5

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3DD4515 E1-H
R
电特性(除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=900V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压(VEB=0V
VCES IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.3A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.2A
IC=0.5A, IB=0.1A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=0.5A, IB=0.1A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.25A
下降时间
tf
征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
ts 分档 3~4~5~6μs hFE 分档 20~25~30~35~40
有害物质说明
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
900
900
450
9
20 40
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
0.6
0.20 0.6 V
0.85 1.3 V
3 6 μs
1.0 μs
1.0 μs
5 MHz
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
0.1%
引线
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二 六溴邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
苯醚 十二烷 甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
PBDE HBCDD DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
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2015V01
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3DD4515 E1-H
R
特性曲线
10
1
安全工作区(单脉冲)
100μs
0.1
DC
0.01
1ms
10ms
0.001
1
Ta=25
10 100
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
0.6
Ta=25
0.30
Ptot Ta 关系曲线
1.0
0.8
0.6
Without Heatsink
0.4
0.2
0
0
100
10
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
Ta=125
Ta=25
Ta= -55
VCE=5V
IB=2mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=5
1 10
集电极电流 IC (A)
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
10
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.01
Ta=25
Ta=125
IC/IB=5
0.1 1
10
集电极电流 IC (A)
2015V01
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外形图:TO-92
3DD4515 E1-H
项目
A
B
C
D
E
F
L
N
包装说明
袋装:
1产品的小包装采用 1000 /塑料袋包装;
2产品中包装采用 10 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 8 /的大号纸板箱包装
编带:
外形图:
R
(mm)
最小 最大
4.30 4.90
4.30 4.90
3.20 3.80
1.20 1.40
0.40 0.60
0.30 0.50
12.70
15.50
1.07 1.47
Symbol
A1
A
T
Criterion (mm)
4.6±0.3
4.6±0.3
3.5±0.3
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Comment
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3DD4515 E1-H
R
d 0.5±0.05
Typical
L1 2.5min
P 12.7±0.1
P0
12.7±0.3
cumulative error±1.0/20 P0
P2 6.35±0.4
F1,F2
2.6
+0.30
0 .20
h,p
0±1.0
W
18.0 +1.0
0.5
W0 6.0±0.3
W1 9.0±0.5
W2 0.5MAX
H 19.0±1.0
H0 16.0±0.5
H1 23.5±1
H2 3.5±1
α 130°-155°
ФD0 4.0±0.2
t 0.8±0.2
H* 1.5-2.0
L 11.0MAX
包装说明
1产品的小包装采用 2000 /纸盒包装;
2产品的大包装采用 15 /的大号纸板箱包装
注意事项
Backing paper Thickness 0.4±0.02
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪14
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
话:0510-8580 7228
真:0510-8580 0864
市场营销邮编:214061
话:0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mailsales@hj.crmicro.com. 真:0510-8580 0360 / 8580 3016
服务 话:0510-8180 5243
真:0510-8180 5110
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