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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4515 B1D-H
R
产品概述
3DD4515 B1D-H 是硅
NPN 型功率开关晶体管
产品采用平面工艺压环
终端构和少子寿命控制
技术了产品击穿
开关速度可靠性
存储条件和焊接温度
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
高温特性好
合适的开关速度
可靠性高
应用
充电器
电源转换
一般功率开关电路
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
特征参数
符号
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
额定值
450
1.5
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
内部结构图
C
B
极限值(除非另有规定,Ta= 25℃)
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
800
450
9
1.5
3.0
0.75
1.5
0.8
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值
典型值
最大值
156
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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3DD4515 B1D-H
R
电特性 (除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=800V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.2A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.2A
IC=0.5A, IB=0.1A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=0.5A, IB=0.1A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.1A
下降时间
tf
征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
* 脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 20~25~30~35~40
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
800
450
9
20 40
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.75 0.9
0.3 0.8 V
1 1.5 V
3 7 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
引线框
0.1%
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
十二烷
HBCDD
0.1%
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
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3DD4515 B1D-H
R
特性曲线
10
1
安全工作区(单脉冲)
100μs
0.1
DC
0.01
1ms
10ms
0.001
1
Ta=25
10 100
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
0.5
Ta=25
Ptot Ta 关系曲线
1
0.8
0.6 Without Heatsink
0.4
0.2
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
0.25 10
Ta= -55
IB=2mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=5
1
集电极电流 IC (A)
10
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
10
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
1.2
1
Ta=25
0.8
Ta=125
0.6
0.4
0.01
IC/IB=5
0.1 1
集电极电流 IC (A)
10
2015V01
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外形图:TO-92
3DD4515 B1D-H
项目
A
B
C
D
E
F
L
N
包装说明
袋装:
1产品的小包装采用 1000 /料袋包装;
2产品中包装采用 10 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 8 /的大号纸板箱包装
编带:
外形图:
R
(mm)
最小
最大
4.30 4.90
4.30 4.90
3.20 3.80
1.10 1.50
0.40 0.60
0.30 0.50
12.70
15.50
1.07 1.47
项目
塑封体宽()
塑封体
引线口径
符号
A,A1
T
d
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数 值(mm)
4.6±0.3
3.5±0.3
0.5±0.05
备注
典型值
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3DD4515 B1D-H
R
引线编入胶带内长
送孔中心
送孔中心至中心
L1
P
P0
P2
2.5min
12.7±0.1
12.7±0.3
6.35±0.4
累计误差±1.0/20
引线间
F1,F2
2.6
+
0.30
0.20
倾斜
h,p
0±1.0
纸带
W
18.0 +1.0
0.5
熔胶带
W0
6.0±0.3
W1 9.0±0.5
胶带纸带相对位
W2
0.5MAX
从带中心至距离
H
19.0±1.0
引线弯曲距离
H0
16.0±0.5
至纸带中心距
H1
23.5±1
引线弯曲处距离
H2
3.5±1
引线弯曲角α 130°-155°
送孔
ФD0
4.0±0.2
总纸厚t 0.8±0.2
颈根 H* 1.5-2.0
引线切断后至孔中心相对
L
11.0MAX
包装说明
1产品的小包装采用 2000 /纸盒包装;
2产品的大包装采用 15 /的大号纸板箱包装
注意事项
底纸厚0.4±0.02
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪14
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
话:0510-8580 7228
真:0510-8580 0864
市场营销邮编:214061
话:0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mailsales@hj.crmicro.com. 真:0510-8580 0360 / 8580 3016
服务 话:0510-8180 5243
真:0510-8180 5110
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