B09N03.pdf 데이터시트 (총 6 페이지) - 파일 다운로드 B09N03 데이타시트 다운로드

No Preview Available !

 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
9mΩ 
ID  50A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB09N03H
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=37.5A, RG=25Ω
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
50 
35 
140 
37.5 
70 
15 
50 
20 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=25A, Rated VDS=30V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
2.5 
°C / W 
50 
2012/3/9 
p.1 

No Preview Available !

 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB09N03H
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 24V, VGS = 0V 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 10V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 25A 
VGS = 4.5V, ID = 15A 
VDS = 5V, ID = 20A 
DYNAMIC 
30   
  V 
1  1.7 3 
    ±100 nA
    1  A
    25 
50   
  A 
  7.5
9 
mΩ
  11 13.5
  20   S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Ciss     
Coss 
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz 
 
Reverse Transfer Capacitance   
Crss 
 
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Rg 
Qg(VGS=10V)
Qg(VGS=4.5V)
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
 
VDS = 15V, VGS = 10V, 
ID = 25A 
 
VDS = 15V,   
ID = 20A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
IS     
ISM     
VSD 
IF = IS, VGS = 0V 
 
Reverse Recovery Time   
trr 
  
Peak Reverse Recovery Current 
IRM(REC) 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
Reverse Recovery Charge 
Qrr 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
 
 
828  
196  
174  
1.7  
17.6  
12.5  
2.8  
7.4  
8   
18  
20  
3   
  50 
  140
  1.3 
22  
180  
12  
pF
Ω 
nC
nS
A 
V 
nS
A 
nC
2012/3/9 
p.2 

No Preview Available !

2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB09N03H for EDFN 5 x 6 
 
    B09
 
 
N03
ABCDEFG
 
B09N03: Device Name 
ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2012/3/9 
 
EMB09N03H
p.3 

No Preview Available !

TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
100
 
10V
7V 6V
  80
 
60
 
5V
VG  S = 4.5V
  40
 
20
 
 0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
  VD S  ,DrainSource Voltage( V )
 
OnResistance Variation with Temperature
  1.8
I D  = 25A
  V G S = 10V
1.6
 
1.4
 
  1.2
  1.0
 
0.8
 
 
0.6
50
25
0 25 50 75 100 125 150
  Tj ,Junction Temperature(°C )
 
Transfer Characteristics
  50
V D S = 10V
 
40
 
  30
T A  = ‐55 °C
25 °C
125 °C
 
20
 
  10
 
 
0
012
3
VG  S ,GateSource Voltage( V )
45
 
 
 
 
 
2012/3/9 
  EMB09N03H
3
VG  S = 4.5V
2.5
2
1.5
1
5V
5.5V
6V
7V
10V
0.5
0
20
0.030
I D  = 20A
0.025
40 60
I D  ,Drain Current( A ) 
80
100
0.020
0.015
0.010
TA   = 125° C
TA   = 25° C
0
2 468
VG S  ,GateSource Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
60
VG S  = 0V
10 TA  = 125°C
10
1
0.1
0.01
0.001
25°C
55°C
0.0001 0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0 1.2 1.4
VS D  ,Body Diode Forward Voltage( V )
p.4 

No Preview Available !

  EMB09N03H
 
 
 
  G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
12
ID = 2 5 A
 
10
 
8
  VDS =5V
10V
10 4
10 3
C A P A C IT A N C E  C H A R A C T E R IS T IC S
C iss
 6
 4
15V
10 2
C o ss
C rss
 
2
 
 0
0
10 20
30
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
 
f =  1  M H z
V GS= 0  V
0 5 10 15 20 25
V DS ‐D R A IN S O U R C E  V L T A G E  ( V  )
30
 
 
 
 
 
300
200
100 R d s ( o n ) Limit
50
20
10
 5
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
10μ  s
100μ  s
1ms
1D01C00mmss
 2
 1
VG  S = 10V
RSIθ N J C G= L2E. 5P° UC/LWSE
Tc = 25° C
0.5
  0.5 1
10
VD S  ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V )
 
100
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
3000
SINGLE PULSE
Rθ  J C = 2.5° C/W
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1 10 100
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
1000
 
1
 
Duty Cycle = 0.5
  0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.3
0.2 0.2
 
  0.1 0.1
0.05
  0.05
  0.02
0.03
0.01
  0.02
Single Pulse
  0.01
102
101
 
Notes:
DM
1 10
t 1 ,Time ( mSEC )
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =2.5°C/W
3.TJ  ‐  TC   = P * R θ J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
100
1000
 
 
 
2012/3/9 
p.5