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F1200A ... F1200G
F1200A ... F1200G
Fast Efficient Rectifier Diodes
Schnelle Gleichrichterdioden für hohen Wirkungsgrad
IFAV = 12 A
VF1 < 0.82 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 50...400 V
IFSM = 650/715 A
trr < 200 ns
Version 2016-12-20
Ø 8 x 7.5
(~P600)
Typical Applications
Rectification of medium frequencies
Free-wheeling diodes, Polarity
Protection, Solar Bypass diodes
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung mittlerer Frequenzen
Freilaufdioden, Verpolschutz
Solar-Bypassdioden
Standardausführung 1)
Ø 8±0.1
Features
Low forward voltage drop
Low leakage current
High forward surge capability
Package smaller than
industry standard
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
RoHS
Pb
Besonderheiten
Niedrige Fluss-Spannung
Niedriger Sperrstrom
Hohe Stoßstromfestigkeit
Gehäuse kleiner als
Industriestandard
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Ø 1.2±0.05
Taped in ammo pack
500 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx.
1.3 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
260°C/10s
MSL N/A
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Type
Typ
F1200A
F1200B
F1200D
F1200G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
Grenzwerte 2)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
Average forward current
Dauergrenzstrom
TA = 50°C
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Thermal resistance junction to leads – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
IFAV 12 A 3)
IFRM 130 A 3)
IFSM
650 A
715 A
i2t 2112 A2s
Tj -50...+150°C
Tj +200°C 4)
TS -50...+175°C
RthA < 10 K/W 3)
RthL < 2 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
4 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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Characteristics
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapazität
120
[%]
100
80
60
40
20
IFAV
0
0 TA 50 100 150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
104
[µA]
103
102
10
Tj = 150°C
Tj = 125°C
IR Tj = 25°C
1
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. reverse voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 12 A
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
VR = 4 V
F1200A ... F1200G
Kennwerte
VF
< 0.82 V
< 0.91 V
IR
< 5 µA
typ. 40 µA
trr < 200 ns
Cj 430 pF
103
[A]
102 Tj = 125°C
10 Tj = 25°C
1
IF
10-1
400a-(5a-0,8v)
0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG