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1N4148W, 1N4448W
1N4148W, 1N4448W
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2015-07-16
Power dissipation – Verlustleistung
2 .7±0.1
Repetitive peak reverse voltage
eriodische Spitzensperrspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
3 . 8±0.2
Weight approx. – Gewicht ca.
Type Plastic material has UL classification 94V-0
Code Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
400 mW
75 V
~SOD-123
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (TA = 25°C)
1N4148W, 1N4448W
Ptot 400 mW 1)
IFAV 150 mA 1)
IFRM 300 mA 1)
IFSM
IFSM
VRRM
VRSM
500 mA 1)
2A
75 V
100 V
Tj -55...+150°C
TS -55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1N4148W
1N4448W
Leakage current – Sperrstrom 2)
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C 2)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
IF = 10 mA
IF = 5 mA
IF = 100 mA
VR = 20 V
VR = 75 V
VR = 20 V
VR = 75 V
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF < 1.0 V
VF 0.62...0.72 V
F 1V
IR < 25 nA
IR 5 µA
IR < 30 µA
IR 50 µA
CT 4 pF
trr < 4 ns
RthA < 400 K/W 1)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1

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Marking – Stempelung
These diodes are also available in other case styles
Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar
1N4148W, 1N4448W
1N4148W = W1 / T4 / T6 1)
1N4448W = T5 / W1 1)
DO-35 = 1N4148
MiniMELF = LL4148
Q-MiniMELF = LS4148
Q-MicroMelf = MCL4148
~SOD-323 = 1N4148WS
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0 TA 50 100 150 [°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
[A]
10-1
10-2
Tj = 125°C
10-3
Tj = 25°C
IF
10-4
0
VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Alternatively used. The complete part number is given on the package label.
Alternativ verwendet. Die vollständige Artikel-Nr. ist auf dem Verpackungsetikett angegeben.
2 http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG