H13003D.pdf 데이터시트 (총 3 페이지) - 파일 다운로드 H13003D 데이타시트 다운로드

No Preview Available !

汕头华汕电子器件有限公司
NPN SILICON TRANSISTOR
H13003D
对应国外型号
ST13003D
█ 主要用途
█ 外形图及引脚排列
高压快速开关。电子镇流器、电子变压器等应用。
█ 极限值Ta=25℃)
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150
Tj——结温…………………………………………… 150
PC——集电极功率耗散(Tc=25℃)………………………… 40W
VCBO——集电极—基极电压……………………………… 700V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V
VEBO——发射极—基极电压………………………………… 9V
IC——集电极电流(DC)…………………………………… 1.5A
IC——集电极电流(脉冲)…………………………………… 3A
IB——基极电流………………………………………………0.75A
1―基 极,B
2―集电极,C
3―发射极,E
█ 电参数Ta=25℃)
参数符号
符号说明
最小值 典型值 最大值 单 位
测试条件
BVCBO 集电极—基极击穿电压
700
V IC=1mA,IE=0
BVCEO 集电极—发射极击穿电压
400
V IC=10mA, IB=0
BVEBO
ICBO
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
9
V IE=1mA,IC=0
10 μA VCB=600V, IB=0
IEBO 发射极—基极截止电流
0.1 mA VEB=9V, IC=0
hFE 直流电流增益
14 40 VCE=10V, IC=0.2A
9 VCE=5V, IC=1mA
5 VCE=5V, IC=1A
VCE(sat) 集电极—发射极饱和电压
0.5 V IC=0.5A, IB=0.1A
1 V IC=1A, IB=0.25A
3 V IC=1.5A, IB=0.5A
VBE(sat) 基极—发射极饱和电压
1.0 V IC=0.5A, IB=0.1A
1.2 V IC=1A, IB=0.25A
VF 内部二极管正向压降
2.2 V IF=1A
ton 导通时间
1 μs
ts 载流子贮存时间
4 μs
tf 下降时间
0.7 μs
ts 贮存时间
1.5 4 μs
分档: H114--21H219--26H324--31H429--40
VCC=125V, IC=1A,
IB1=-IB2=0.2A
Vcc=5V,Ic=0.25A

No Preview Available !

汕头华汕电子器件有限公司
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
H13003D
对应国外型号
ST13003D
█ 特性曲线

No Preview Available !

汕头华汕电子器件有限公司
█ 特性曲线
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
H13003D
对应国外型号
ST13003D