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深圳市晶导电子有限公司
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
H13003DL
低频放大环境额定双极型晶体管
◆硅 NPN
◆符合 RoHS 环保指令要求
1．主要用途
主要用于 110V 电网的电子节能灯、
电子镇流器等
2．主要特点
集成抗饱和网络
高温特性好
开关速度快
3．封装外形
TO-126D
4．电特性
4.1 极限值
除非另有规定，Tamb= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率
结温
Ta=25℃
Tc=25℃
贮存温度
4.2 电参数
除非另有规定，Tamb= 25℃
参数名称
集电极-基 极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
发射极-基 极击穿电压
集电极-基极截止电流
集电极-发射极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极电流放大系数
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
上升时间
下降时间
贮存时间
特征频率
＊: 脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2%
1 VD
1 基极(B) 2 集电极(C) 3 发射极(E)
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
额定值
400
200
9
4.0
1.25
27
150
-55～150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
符号
测试条件
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
hFE*
VCE
*
sat
VBE
*
sat
tr
tf
ts
fT
IC=1mA，IE=0
IC=1mA，IB=0
IE=1mA，IC=0
VCB=400V, IE=0
VCE=200V, IB=0
VEB=9V, IC=0
VCE=5V, IC=1mA
VCE=5V, IC=200mA
IC=1A, IB=0.5A
IC=1A, IB=0.5A
IC=250mA (UI9600)
VCE=20V,IC=20mA,
f=1MHz
规范值
最小 典型 最大
400
200
9
10
20
10
8
15 30
0.6
1.2
0.3
0.3
1.0 3.0
5
单
位
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
μs
μs
μs
MHz
地址：深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 电话：0755-29799516
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