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Power TOPLED®
Hyper-Bright LED
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
• Gehäusebauform: P-LCC-4
• Gehäusefarbe: weiß
• als optischer Indikator einsetzbar
• zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und
Linseneinkopplung
• für alle SMT-Bestücktechniken geeignet
• gegurtet (8 mm-Filmgurt)
• JEDEC Level 3
• nur IR Reflow Löten
Features
• P-LCC-4 package
• color of package: white
• for use as optical indicator
• for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
• suitable for all SMT assembly methods
• available taped on reel (8 mm tape)
• JEDEC Level 3
• IR reflow soldering only
LY E676
Typ
Type
LY E676
LY E676-T1
LY E676-T2
LY E676-U1
LY E676-U2
Emissions-
farbe
Color of
Emission
yellow
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
colorless clear
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 50 mA
IV (mcd)
250 ... 400
320 ... 500
400 ... 630
500 ... 800
Lichtstrom
Luminous
Flux
IF = 50 mA
ΦV (mlm)
900 (typ.)
1200 (typ.)
1500 (typ.)
1800 (typ.)
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min 1.6.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min 1.6.
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q3759
Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.
Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Semiconductor Group
1
1998-11-05

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LY E676
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Sperrspanung1)
Reverse voltage1)
Verlustleistung
Power dissipation
TA 25 °C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße 12 mm2)
mounted on PC board*) (pad size 12 mm2)
Symbol
Symbol
Top
Tstg
Tj
IF
VR
Ptot
Rth JA
1) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1) Reverse biasing should be avoided.
*) PC-board: FR4
Werte
Values
– 40 ... + 100
– 40 ... + 100
+ 120
50
3
130
Einheit
Unit
°C
°C
°C
mA
V
mW
290 K/W
Semiconductor Group
2
1998-11-05

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LY E676
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 50 mA
Dominantwellenlänge 2)
Dominant wavelength 2)
IF = 50 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 50 mA
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
Durchlaßspannung 1)
Forward voltage 1)
IF = 50 mA
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 50 mA)
Temperaturkoeffizient von λpeak (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of λpeak (IF = 50 mA)
Temperaturkoeffizient von VF (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of VF (IF = 50 mA)
Temperaturkoeffizient von IV (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of IV (IF = 50 mA)
Symbol
Symbol
Werte
Values
typ. max.
λpeak
594
λdom 590 –
λ 17 –
2ϕ 120 –
VF 2.1 2.55
IR 0.01 10
TCλ
t.b.d.
TCλ
t.b.d.
TCV
t.b.d.
TCIV
t.b.d.
Einheit
Unit
nm
nm
nm
Grad
deg.
V
µA
nm/K
nm/K
mV/K
%/K
1) Durchlaßspannungsgruppen
Forward voltage groups
Gruppe Durchlaßspannung
Group
Forward voltage
min.
max.
1 1.85 2.25
2 2.15 2.55
Einheit
Unit
V
V
2) Wellenlängengruppen
Wavelength groups
Gruppe
Group
Wellenlänge
Wavelength
min.
max.
1 585
590
2 588
593
3 591
596
Einheit
Unit
nm
nm
nm
Semiconductor Group
3
1998-11-05

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LY E676
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 50 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
%
Ι rel
80
Vλ yellow
60
OHL00443
40
20
0
400 450 500 550 600 650 nm 700
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40˚ 30˚ 20˚
10˚ 0˚
ϕ 1.0
OHL01660
50˚ 0.8
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
1.0 0.8 0.6
0.4
0.6
0.4
0.2
0
0˚ 20˚ 40˚ 60˚
80˚ 100˚ 120˚
Semiconductor Group
4
1998-11-05

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LY E676
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 °C
10 2
Ι F mA
10 1
5
OHL00444
10 0
5
10 -1
5
10 -2
1.6 1.8 2.0 2.2 V 2.4
VF
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
100 OHL00446
Ι F mA
80
Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 °C
10 1
ΙV
Ι V (50 mA)
OHL00445
10 0
5
10 -1
5
10 -2
5
10
-3
10
-1
5 10 0
5 10 1
mA 10 2
ΙF
60
40
20
00 20 40 60 80 C 100
TA
Semiconductor Group
5
1998-11-05