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GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge)
GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil)
F 0118J
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im
Topled® Gehäuse.
• Chipgröße 300 x 300 µm2
• GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Vorderseitenmetallisierung: Aluminium
Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung
Anwendungen
• IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Sensorik
Features
• Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in
Topled® package.
• Chip size 300 x 300 µm2
• Very highly efficient GaAlAs LED
• High reliability
• High pulse handling capability
• Good spectral match to silicon
photodetectors
• Frontside metallization: aluminum
Backside metallization: gold alloy
Applications
• IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
• Remote control for steady and varying
intensity
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Sensor technology
Typ
Type
F 0118J
Bestellnummer
Ordering Code
Q67220-C1350
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss
Rückseite AuGe Eutektikum
Infrared emitting die, top side anode connection
Backside AuGe eutectic alloy
2002-02-21
1

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F 0118J
Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25 °C)
Electrical values (measured on TO18 header without resin, TA = 25 °C)
Bezeichnung
Symbol
Wert1)
Parameter
Symbol
Value1)
min. typ.
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax,
IF = 10 mA
Spectral bandwidth at 50% of Imax
Sperrspannung
Reverse voltage
IF = 10 µA
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf
10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90%
to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Durchlaβspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
Gesamtstrahlungsfluβ4)
Total radiant flux4)
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak
∆λ
VR
tr, tf
VF
Φe
5
7
950
55
30
500
1.4
12
max.
1.6
Einheit
Unit
nm
nm
V
ns
V
mW
2002-02-21
2

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Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Chipkantenlänge (x-Richtung)
Length of chip edge (x-direction)
Chipkantenlänge (y-Richtung)
Length of chip edge (y-direction)
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
Chiphöhe
Die height
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
Bezeichnung
Parameter
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Rückseitenmetallisierung
Metallization backside
Trennverfahren
Dicing
Verbindung Chip - Träger
Die bonding
F 0118J
Symbol
Symbol
min.
Lx 0.28
Ly 0.28
D
H 225
d
Wert1)
Value1)
typ.
0.3
max.
0.32
Einheit
Unit
mm
0.3 0.32 mm
76.2
mm
240 255 µm
130 µm
Wert
Value
Aluminium
Aluminum
AuGe Eutektikum
AuGe eutectic alloy
Sägen
Sawing
Legieren
Eutectic bonding
2002-02-21
3

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fj
Grenzwert3) ( gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25°C)
Maximum Ratings3) (measured on TO18 header without resign, TA = 25°C)
Bezeichnung
Symbol
Wert
Parameter
Symbol
Value
Maximaler Betriebstemperaturbereich
Maximum operating temperature range
Top
- 40...+100
Maximaler Lagertemperaturbereich
Tstg - 40...+100
Maximum storage temperature range
Maximaler Durchlaßstrom
Maximum forward current
IF 100
Maximaler Stoßstrom
Maximum surge current
IS 3
Maximale Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
Tj 125
F 0118J
Einheit
Unit
°C
°C
mA
A
°C
2002-02-21
4

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Relative Spectral Emission2) Ιrel = f (λ)
TA = 25 °C
100
OHRD1938
%
Ι rel
80
60
40
F 0118J
Radiant
Intensity2)
Ιe
Ιe
100
mA
=
f
(IF)
Single pulse, TA = 25 °C,tp = 20 µs
10 2
A
Ιe
Ι e 100 mA
10 1
OHR01551
10 0
20 10 -1
0
880 920 960 1000 nm 1060
λ
Permissible Pulse Handling
Capability2) IF = (τ), TA = 25 °C
duty cycle D = parameter
10 4
Ι F mA
5
D
=
tp
T
D = 0.005
tp
T
0.01
0.02
10 3 0.1
0.05
0.2
5
OHR00860
ΙF
0.5
10 2 DC
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2
10 -1 10 0
10 1 s 10 2
tp
2002-02-21
10 -2
10 -3 10 -2 10 -1
Forward Current2) , IF = f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs,TA = 25 °C
10 0 A
ΙF
10 1
10 1
ΙF A
OHR01554
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
0 12 3 4 5 6V 8
VF
5