GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge)
GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil)
F 0118J
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im
Topled® Gehäuse.
• Chipgröße 300 x 300 µm2
• GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Vorderseitenmetallisierung: Aluminium
Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung
Anwendungen
• IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Sensorik
Features
• Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in
Topled® package.
• Chip size 300 x 300 µm2
• Very highly efficient GaAlAs LED
• High reliability
• High pulse handling capability
• Good spectral match to silicon
photodetectors
• Frontside metallization: aluminum
Backside metallization: gold alloy
Applications
• IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
• Remote control for steady and varying
intensity
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Sensor technology
Typ
Type
F 0118J
Bestellnummer
Ordering Code
Q67220-C1350
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss
Rückseite AuGe Eutektikum
Infrared emitting die, top side anode connection
Backside AuGe eutectic alloy
2002-02-21
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