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NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BPY 62
BPY 62
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
Features
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q Hohe Linearität
q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C
q Gruppiert lieferbar
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
q High linearity
q Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection suitable up to 125 °C
q Available in groups
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Applications
q Photointerrupters
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Typ
Type
BPY 62
BPY 62-2
BPY 62-3
BPY 62-4
BPY 62-51)
Bestellnummer
Ordering Code
Q60215-Y62
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q62702-P1113
1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group
238
10.95

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BPY 62
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t 5 s
Dip soldering temperature 2 mm distance
from case bottom, soldering time t 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t 3 s
Iron soldering temperature 2 mm distance
from case bottom, soldering time t 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Top; Tstg
TS
TS
VCE
IC
ICS
VEB
Ptot
RthJA
Wert
Value
– 55 ... + 125
Einheit
Unit
°C
260 °C
300 °C
50 V
100 mA
200 mA
7V
200 mW
500 K/W
Semiconductor Group
239

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BPY 62
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCB = 5 V
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 35 V, E = 0
Symbol
Symbol
λS max
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
IPCB
IPCB
CCE
CCB
CEB
ICEO
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
420 ... 1130 nm
0.12
0.5 × 0.5
2.4 ... 3.0
mm2
mm × mm
mm
± 8 Grad
deg.
4.5 µA
17 µA
8
11
19
5 (100)
pF
pF
pF
nA
Semiconductor Group
240

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BPY 62
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2 -3 -4
-5
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light
A,
VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC
=
I 1)
PCEmin
×
0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
Stromverstärkung
Current gain
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE
IPCE
tr, tf
VCEsat
IPCE
IPCB
0.5 ... 1.0 0.8 ... 1.6 1.25 ... 2.5 2.0 mA
3.0 4.6 7.2
11.4 mA
579
12 µs
150 150 160
180 mV
170 270 420
670
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
241

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Relative spectral sensitivity
Srel = f (λ)
Photocurrent
IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
BPY 62
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Output characteristics
IC = f (VCE), IB = Parameter
Output characteristics
IC = f (VCE), IB = Parameter
Dark current
ICEO = f (VCE), E = 0
Photocurrent
IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V
Dark current
ICEO/ICEO25o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0
Collector-emitter capacitance
CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
Semiconductor Group
242