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2SC2060(3DG2060)
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于 1~2W 低频放大
Purpose:1~2W low frequency amplifiers.
特点:集电极耗散功率大,饱和压降低,可与 2SA934(3CG934)互补
Features: High PC, low collector saturation voltage, complementary pair with 2SA934(3CG934).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值 单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO 40 V
VCEO 32 V
VEBO 5.0 V
IC 1.0 A
ICP 2.0 A
PC 750 mW
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
测试条件
Test condition
IC=50μA
IC=1.0mA
IE=50μA
VCB=20V
VEB=4.0V
VCE=3.0V
IC=500mA
VCE=5.0V
VCB=10V IE=0
IE=0
IB=0
IC=0
IE=0
IC=0
IC=100mA
IB=50mA
IC=50mA
f=1.0MHz
最小值
Min
40
32
5.0
82
50
数值
Rating
典型值
Typ
150
15
最大值
Max
0.5
0.5
390
0.4
30
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
V
MHz
pF
hFE 分档/hFE classifications: P:82~180 Q:120~270 R:180~390
http://www.lzg.so
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

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