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深圳市鹏爱半导体有限公司
SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD
D13003D
主要用途:
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
主要特点:
耐压高、开关速度快、安全工作区大、输出特性好、电流容量大。
封装形式:
TO-126
TEL:0755-27656829
FAX:0755-23443106
NPN
极限值TC=25℃)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高工作温度
贮存温度
电特性TC=25℃)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-发射极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
存储时间
特征频率
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Icm
Pcm
Tj
Tstg
额定值
400
600
9
1.8
32
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Ice0
Icb0
Ieb0
Hfe
Vcesat
Ts
fT
测试条件
IC=1mA IB=0
Ic=1mA IE=0
IE=1mA IC=0
Vce=400V IB=0
Vcb=680V IE=0
Veb=7V Ic=0
Vce=5V Ic=0.2A
Vce=5V Ic=1mA
Ic=1A Ib=0.5A
Ic=250m A
Vce=10V Ic=0.1A
f=1MHz
额定值
最小值
最大值
400
700
9
20
10
10
10 35
8
0.6
1.5 3.0
8
单位
V
V
V
uA
uA
uA
uS
MHZ
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1

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SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD
特性曲线
TEL:0755-27656829
FAX:0755-23443106
静态输出特性
0.5
50mA
0.4
40mA
0.3 30mA
0.2 20mA
10mA
0.1
Ib=0
0 2 4 6 8 10
VceV)集电极-发射极电压
Vcesat)集电极 - 发射极饱和压降- Ic 集电极电流
2
1
Ic=2Ib
0.1
0 0.1
1
IcA)集电极电流
SOADC)安全工作区
5
1
0.5
1.5
HFE 直流电流增益- Ic 集电极电流
50
40
30 Vce=5V
20
10
1
0.001
0.01
0.1
IcA)集电极电流
1
1.8
Pc 耗散功率- Tj 结温
30
24
18
12
6
0 40 80 120 160 200
Tj(℃)结温
0.05
0.01
1
10 100
VceV)集电极-发射极电压
1000
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2

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SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD
产品尺寸
TO-126
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FAX:0755-23443106
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