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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R33KF2C
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage

VorläufigeDaten
PreliminaryData
VCES 
IC nom
IC

ICRM 
Ptot 
VGES 
3300
3300
800
1300
1600
9,60
+/-20
V

A
A
A
 kW
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 800 A, VGE = 15 V
IC = 800 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 80,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 800 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,4 , CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 800 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,4 , CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 800 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 , CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 800 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 , CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 800 A, VCE = 1800 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V
RGon = 1,4 , CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 800 A, VCE = 1800 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 , CGE = 150 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE 15 V, VCC = 2500 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP 10 µs, Tvj = 125°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

VCE sat
VGEth
QG
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
tr
td off
tf
Eon
Eoff
ISC
RthJC
RthCH
Tvj op
min. typ. max.
3,40 4,25
4,30 5,00
V
V
4,2 5,1 6,0 V
 15,0  µC
 0,63 
 100  nF
 5,40  nF
  5,0 mA
  400 nA
0,28
 0,28 
µs
µs
0,18
 0,20 
µs
µs
1,55
 1,70 
µs
µs
0,20
 0,20 
µs
µs
930
 1450 
mJ
mJ
870
 1000 
mJ
mJ
 4000 
A
  13,0 K/kW
 9,00
K/kW
-40  125 °C
preparedby:SB
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.1
1

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R33KF2C
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent

PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 800 A, VGE = 0 V
IF = 800 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

VorläufigeDaten
PreliminaryData
VRRM 
IF 
IFRM 
I²t 
PRQM 
ton min 
3300
3300
800
1600
220
1600
10,0
V
A
A
 kA²s
 kW
 µs
min. typ. max.
VF
2,80 3,50 V
2,80 3,50 V
1100
A
IRM  1300  A
500 µC
Qr  900  µC
490 mJ
Erec  1150  mJ
RthJC

 26,0 K/kW
RthCH
 18,0
K/kW
Tvj op
-40

125 °C
preparedby:SB
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.1
2

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R33KF2C
Modul/Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL  6,0  kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage
RMS, f = 50 Hz, QPD 10 pC (acc. to IEC 1287)
VISOL  2,6  kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability
Tvj = 25°C, 100 fit
VCE D 
1800
V
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate


AlSiC

InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
  AlN  
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

32,2
32,2
 mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

19,1
19,1
 mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
CTI 
> 400

min. typ. max.
RthCH
 6,00
K/kW
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule

LsCE
 12  nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
RCC'+EE'  0,19  m
Lagertemperatur
Storagetemperature

Tstg -40  125 °C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
4,25 - 5,75 Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
1,8 - 2,1 Nm
8,0 - 10 Nm
Gewicht
Weight

G
 1000 
g
preparedby:SB
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.1
3

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R33KF2C
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
1600
1400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1200
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
1600
1400
1200
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
1000
1000
800 800
600 600
400 400
200 200
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
1600
1400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1200
1000
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.4,RGoff=1.8,VCE=1800V,CGE=150
nF
6000
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
5000
4000
800 3000
600
2000
400
1000
200
0
567
preparedby:SB
approvedby:DTS
8 9 10 11 12 13
VGE [V]
0
0
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.1
4
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
IC [A]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ800R33KF2C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=800A,VCE=1800V,CGE=150nF
8000
7000
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC : IGBT
6000
5000
10
4000
3000
2000
1
1000
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
RG []
0,1
0,001
0,01
i: 1 2 3 4
ri[K/kW]: 5,85 3,25 0,78 3,12
τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1
0,1 1
t [s]
10
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.8,Tvj=125°C,CGE=150nF
1800
1600
IC, Modul
IC, Chip
1400
1200
1000
800
600
400
200
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
1600
1400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1200
1000
800
600
400
200
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
VCE [V]
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VF [V]
preparedby:SB
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.1
5