OB2269.pdf 데이터시트 (총 10 페이지) - 파일 다운로드 OB2269 데이타시트 다운로드

No Preview Available !

OB2268/OB2269 设计指导
OB2268/OB2269 设计指导
-反激式开关电源应用
一.概要:
随着科学技术日新月异的发展,人们对电源系统的性能要求也不断提高,
OB2268/OB2269 采用独特的设计方案,使您的电源系统具有较高的性价比,满足广大客户
的需求。OB2268/OB2269 采用传统的电流模式结构设
计,其具有如下特性:
▲ 低待机功耗:OB2268/OB2269 通过特别的低功
耗间歇工作模式设计不仅可以让整个系统在空
载的状态下轻易达到国际能源机构最新的推荐
标准,而且允许系统在较轻负载 (1/30 满载
以下) 的情况下同样具有超低耗的性能。
▲无噪声工作:使用 OB2268/OB2269 设计的电源
无论在空载,轻载和满载的情况下都不会产生音
频噪声。优化的系统设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作。
▲ 更低启动电流:OB2268/OB2269 VIN/VDD 启动电流低至 4uA,可有效地减少系统
启动电路的损耗,缩短系统的启动时间。
▲ 更低工作电流:OB2268/OB2269 的工作电流约为 2.3mA,可有效降低系统的损耗,
提高系统的效率。
▲ 内置前沿消隐:内置前沿消隐(LEB),可以为系统节省了一个外部的 R-C 网络,
降低系统成本。
▲ 内置 OCP 补偿:OB2268/OB2269 内置了 OCP 补偿功能,使系统在不需要增加成
本的情况下轻易使得全电压范围内系统的 OCP 曲线趋向平坦,提高系统的性价比。
▲ 完善的保护功能:OB2268/OB2269 集成了较完善的保护功能模块。OVPUVLO
OCP,恒定的 OPP 和外部可调节的 OTP 功能可以使系统设计简洁可靠,同时满足
安规的要求。
MOSFET 软驱动:可有效的改善系统的 EMI
▲ 较少的外围器件:OB2268/OB2269 外围比较简单,可有效提高系统的功率密度,
降低系统的成本。
OB2269 优良的 EMI 特性:OB2269 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统
EMI 特性,同时可以降低系统的 EMI 成本。
©On-Bright Electronics
-1-
Confidential
OB_DOC_DG_68690A

No Preview Available !

二.芯片内部模块图
1. OB2268 内部模块图
OB2268/OB2269 设计指导
2. OB2269 内部模块图
三.典型应用电路:
©On-Bright Electronics
-2-
Confidential
OB_DOC_DG_68690A

No Preview Available !

OB2268/OB2269 设计指导
RIN
Rbias
1 OB2268/OB2269 典型应用电路
四.OB2268 OB2269 系列芯片应用说明:
1. OB2268/69 的应用领域推荐
推荐应用领域
消费类,资讯
类等单芯片应
用场合
家电类,通信
类等多芯片应
用场合
医疗,救生设
备类等应用场
医疗,救生设
备类等应用场
No shuffling frequency
OB2268
OB2268B
OB2268C
√√
√√
√√
√√
shuffling frequency
OB2269
OB2269C
2. OB2268&OB2269 的不同特性说明
OB2268 OB2269 的主要区别:
1OB2269 内置有频率抖动(shuffling)功能,该功能可以加大程度的改善系统的 EMI 性能,
加快系统的研发过程,同时有利于降低系统的 EMI 成本。
2OB2268 OCP 补偿基于 65KHz 设计,OB2269 OCP 补偿基于 60KHz 设计。
五.设计指导:
1. 启动电路及 OCP 补偿特性说明:
©On-Bright Electronics
-3-
Confidential
OB_DOC_DG_68690A

No Preview Available !

OB2268/OB2269 设计指导
1.1 OB2268/OB2269 具有如下两种启动方式:
1) 具有 OCP 补偿功能的启动方式:使用 3 VIN 作启动端时芯片具有 OCP 补偿的功能,但
仅支持从整流滤波后启动的方式,其启动电路方式见图 1 典型电路。
2) 传统的启动方式:使用 7 VDD 作启动端时芯片支持从整流前启动及整流滤
波后启动的方式,其启动电路见图 2,图 3
AC IN
EMI R1
Filter
R2
D1
C1
BD1
VDD
OB2268/69
GND
R3
R4
C2
D2
AC IN
EMI
Filter
C2
BD1
R1
R2
VDD
OB2268/69
GND
D1 R3
C1
2 整流前启动方式
3 整流后启动方式
1.2 系统的启动时间:
以上的两种启动方式当电源上电开机时通过启动电阻 RIN VDD 端的电容 C1 充电,直到 VDD
端电压达到芯片的启动电压 VTH(ON)(典型值 16.5V)时芯片才被激活并且驱动整个电源系统正常
工作。在图 3 中系统的最大启动延迟时间满足如下运算关系:
这里:
T D _ ON
V V I R eVTH (ON ) = (
dc
DDST
IN
)
1
⎢⎣
RINC1
⎥⎦
(1)
IDDST OB2268/69 的启动电流
TD_ON: 系统的启动延迟时间
RIN
R1 R2 电阻阻值之和
由于芯片具有低启动电流的特性并且考虑到空载的系统损耗,RIN 可以取得较大,具体值可
1.5M~3M范围内选取。
如果需要系统具有更快的启动时间且在系统成
本允许的情况下,您可以参考图 4
AC IN
EMI
Filter
C2
BD1
R1
R2
4 中的典型电路,电路中 C1 的值可以取得
较小(但需要考虑系统的稳定性)RIN 的值可以取得
较大(但会受限于 OCP 补偿性能,见 1.4 OCP 补偿
特性说明),这样既可缩短系统的启动时间同时也可
VIN
VDD
OB2268/69
GND
D1
C1 C3
R3
降低系统空载时的损耗。按图 4 的电路设计,在
16V/3.5A 的系统中,如果 R1=R2=910KR3=0
C1=2.2uFC2=120uFC3=4.7uF,在 90Vac/60Hz
输入且输出负载为满载时,系统的启动时间实测在
750mS 以下。
4 快速启动电路
1.3 启动电阻 RIN 的最大功率损耗:
在图 3 中,RIN 的最大功率损耗可以用下面的公式计算出来,公式如下:
©On-Bright Electronics
-4-
Confidential
OB_DOC_DG_68690A

No Preview Available !

OB2268/OB2269 设计指导
这里:
Vdc,max
VDD
P (V RV ) VR=RIN,max
dc,max
IN
2
DD
2
dc,max
IN
最大输入电压整流后的直流电压
芯片正常工作的电压
(2)
1.4 OCP 补偿特性:
1.4.1 OCP 补偿特性说明:
如果系统使用 3 VIN 端作启动时,系统会具有较好的 OCP 补偿特性。当系统的输入
电压发生变化时,通过启动电阻流过 VIN 端的电流也会发生变化,芯片通过检测该变化值来
自动实现补偿,使系统在较宽输入电压范围内的 OCP 曲线比较平坦,达到恒功率输出的目
的,图 6 为输出规格在 16V/3.5A,工作频率为 65KHz,启动电阻为 1.8M的演示板上测得
OCP 曲线,通过图 6 可以了解到 OB2268/69 具有的 OCP 补偿特性。
4.1 4.07
4.01 4.02
4.02
3.95 3.95
3.94
3.83
3.8
3.85
3.65
3.5
90Vac
105Vac 120Vac 132Vac 180Vac 200Vac 230Vac 264Vac
6 OCP 补偿特性曲线
通过改变启动电阻的阻值(初始设计默认值为 1.8M)可以调整 OCP 补偿的性能,该补偿
性能同时还受系统的工作频率影响,即 OCP 补偿特性与流过 Vin 端的电流及系统 PWM 的频
率有较大关系。当工作频率设定后,如果发生过补偿现象,可通过加大启动电阻的阻值来减
弱补偿能力,但这将延长系统的启动时间;如果发生欠补偿现象,可通过减少启动电阻的阻
值来增强补偿能力,同时这对缩短系统的启动时间也是有帮助的。
1.4.2 影响 OCP 补偿平坦度的主要参数:
频率:基于 50KHZ~65KHz 设计。
启动电阻:基于 1.8M设计。
Sense 端输入:基于省掉外部 R-C 网络设计,见 4. Sense 端输入的说明。
1.4.3 Sense 端门限与 Vin 端输入电流的关系曲线图
OCP threshold vs. Ivin
0.94
0.89
0.84
0.79
0.74
0.69
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300
Ivin(uA)
7 Vth_OC & OCP threshold
从图中可以看到,如果系统设计以 Vin (3 )作为启动端,那么 Vth_oc 的值是受流过
Vin 端的电流影响的,熟悉 Sense 端门限与 Vin 端输入电流的关系曲线图对分析系统的 OCP
特性是有帮助的。
©On-Bright Electronics
-5-
Confidential
OB_DOC_DG_68690A