IN93LC46CD.pdf 데이터시트 (총 13 페이지) - 파일 다운로드 IN93LC46CD 데이타시트 다운로드

No Preview Available !

IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46СN/СD, IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46СN/СD
Микросхема
IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD,
IN93LC46СN/СD, IN93AA46AN/AD,
IN93AA46BN/BD, IN93AA46СN/СD
(аналог САТ93С46 ф.Catalyst) –
электрически стираемое перепрограммируемое
ПЗУ с информационной емкостью 1К (128х8 и/или
64х16 ) с 3-х проводным интерфейсом. Для микросхем
IN93LC46CN/CD, IN93AA46CN/CD при подключении
вывода ORG к общему выводу выбирается организация
128х8 бит. Если вывод ORG подключен к выводу пита-
ния от источника напряжения или остается свободным,
то выбирается организация 64х16 бит. Для микросхем
типономиналов А и В вывод ORG не подключается. При
этом микросхема IN93LC46AN/AD, IN93AA46AN/AD
имеет организацию 128х8, а микросхема
IN93LC46BN/BD, IN93AA46BN/BD – организацию
64х16 бит.
Микросхема предназначена для записи, считывания
и длительного энергонезависимого неразрушаемого
хранения информации в системах с 3-х проводным ин-
терфейсом. Используется в телевизионных приемниках,
в технике связи, контрольно-измерительной аппаратуре,
изделиях бытовой электроники.
08
08
01
Индекс N
01 DIP-корпус
Индекс D
SO-корпус
Рисунок 1 - Микросхемы в DIP и
SO-корпусах
Отличительные особенности:
неразрушаемое хранение 1 Кбит информации в течение 100 лет при Тa = 25 оС;
встроенный в кристалл умножитель напряжения;
возможность образования общей шины ввода/вывода;
автоматическое приращение адреса слова;
внутренний таймер для записи;
1 000 000 циклов стирания/записи на байт;
установка внутренней логики по включению питания;
неограниченное количество циклов считывания;
напряжение питания
микросхем IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46CN/CD UСС = 2,5 B – 6,0 В;
микросхем IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46CN/CD UСС = 1,8 B – 6,0 В;
низкая потребляемая мощность;
температурный диапазон от минус 40 до плюс 85 оС
Ред.01/15.06.2008
1

No Preview Available !

IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46СN/СD, IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46СN/СD
CS 01
SK 02
DI 03
DO 04
08 Vcc
07 NC
06 NC (ORG)
05 GND
Рисунок 2 – Обозначение выводов в корпусе микросхем IN93LC46AN/AD, IN93AA46AN/AD,
IN93LC46BN/BD, IN93AA46BN/BD (IN93LC46CN/CD , IN93AA46CN/CD)
Рисунок 3 – Структурная схема микросхем IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD,
IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, (IN93LC46CN/CD, IN93AA46CN/CD)
Ред.01/15.06.2008
2

No Preview Available !

IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46СN/СD, IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46СN/СD
Таблица 1 - Назначение выводов микросхем IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD,
IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD
Обозначение Вывод
Назначение
CS 01 Вход сигнала Выбор кристалла
SK 02 Вход тактового сигнала
DI 03 Вход последовательных данных
DO 04 Выход последовательных данных
GND
05 Общий вывод
NC 06 Вывод свободный
NC 07 Вывод свободный
VCC 08 Вывод питания от источника напряжения
Таблица 2 - Назначение выводов микросхем IN93LC46CN/CD, IN93AA46CN/CD
Обозначение Вывод
Назначение
CS 01 Вход сигнала Выбор кристалла
SK 02 Вход тактового сигнала
DI 03 Вход последовательных данных
DO 04 Выход последовательных данных
GND
05 Общий вывод
ORG
06 Вход сигнала Выбор конфигурации памяти
NC 07 Вывод свободный
VCC 08 Вывод питания от источника напряжения
Ред.01/15.06.2008
3

No Preview Available !

IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46СN/СD, IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46СN/СD
Таблица 3 – Предельно-допустимые и предельные электрические режимы эксплуатации
Наименование параметра,
единица измерения
Напряжение питания, В, микросхем
IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD,
IN93LC46CN/CD
IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD,
IN93AA46CN/CD
Входное напряжение высокого уровня, В
при 4,5 В ≤ Ucc 5,5 В
при 1,8 В ≤ Ucc < 4,5 В
Входное напряжение низкого уровня, В
при 4,5 В ≤ Ucc 5,5 В
при 1,8 В ≤ Ucc < 4,5 В
Ток короткого замыкания, мА
Температура среды
Бук-
венное
обозна-
чение
Ucc
Предельно-
допустимый режим
Норма
не менее не более
2,5 6,0
Предельный
режим
Норма
не менее не более
- 0,5 7,0
1,8 6,0
UIH 1)
UIL 2)
IOS 3)
Ta
2,0 Ucc + 0,5
0,7Ucc Ucc + 0,5
-0,1 0,8
0 0,2Ucc
––
-40 85
- 0,5
-60
Ucc + 0,5
100
150
1 В процессе эксплуатации входы могут подвергаться положительным выбросам до
Ucc + 2,0 В длительностью менее 20 нс.
2) В процессе эксплуатации входы могут подвергаться отрицательным выбросам до
минус 2,0 В длительностью менее 20 нс.
3) Время воздействия не более 1 секунды
Микросхемы устойчивы к воздействию статического электричества с потенциалом 2000 В.
Входная емкость микросхем не более 5 пФ.
Выходная емкость микросхем не более 5 пФ.
Ред.01/15.06.2008
4

No Preview Available !

IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46СN/СD, IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46СN/СD
Таблица 4 - Электрические параметры микросхемы при Та от минус 45 до 85 °С
(для микросхем IN93AA46AN/AD, IN93AA46BN/BD, IN93AA46CN/CD UСС = 1,8 B – 6,0 В;
для микросхем IN93LC46AN/AD, IN93LC46BN/BD, IN93LC46CN/CD UСС = 2,5 B – 6,0 В)
Наименование параметра, еди-
ница измерения
Буквен-
ное обо-
значение
Выходное напряжение
низкого уровня, В
UOL1
Выходное напряжение
высокого уровня, В
UOH1
Выходное напряжение
низкого уровня, В
UOL2
Выходное напряжение
высокого уровня, В
UOH2
Ток утечки низкого уровня на
входе, мкА
IILL
Ток утечки высокого уровня на
входе, мкА
IILH
Ток утечки низкого уровня на
выходе, мкА
IOLL
Ток утечки высокого уровня на
выходе, мкА
IOLH
Ток потребления (8-разрядный
режим), мкА
ICC1
Ток потребления (16-разрядный
режим), нА
ICC2
Динамический ток потребления
в режиме считывания, мкА
Динамический ток потребления
в режиме стирания / записи, мА
Время установления выхода в
состояние низкого уровня по
сигналу SK, нс
IOCC R
IOCC E/W
tPD0
Время установления выхода в
состояние высокого уровня по
сигналу SK, нс
tPD1
Режим измерения
4,5 В ≤ UCC 5,5 В
IOL = 2,1 мА
4,5 В ≤ UCC 5,5 В
IOH = -400 мкА
1,8 В ≤ UCC < 4,5 В
IOL = 1 мА
1,8 В ≤ UCC < 4,5 В
IOH = -100 мкА
UI = 0 В
1,8 В ≤ UCC 6,0 В
UI = Ucc
1,8 В ≤ UCC 6,0 В
UO = 0 В; UIL = 0 В
1,8 В ≤ UCC 6,0 В
UO = Ucc; UIL = 0 В
1,8 В ≤ UCC 6,0 В
Ucc = 5,5 B; UIL = 0 В
UORG = 0 В или
ORG не подключен
Ucc = 5,5 B
UIL = 0 В; UIH = Ucc
UORG = Ucc
Ucc = 5,0 B
fC = 1 МГц
Ucc = 5,0 B
fC = 1 МГц
UCC = 4,5 В
fC = 1 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0,5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 0,25 МГц
UCC = 4,5 В
fC = 1 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0,5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 0,25 МГц
Норма
не менее не более
– 0,4
2,4 –
– 0,2
UCC-0,2
-1,0
– 1,0
– -1,0
– 1,0
– 10
– 900
– 500
– 3,0
– 250
– 500
– 1000
– 250
– 500
– 1000
Ред.01/15.06.2008
5