IN93AA66CD.pdf 데이터시트 (총 13 페이지) - 파일 다운로드 IN93AA66CD 데이타시트 다운로드

No Preview Available !

IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
Микросхема IN93AA66AN/AD,
IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
(аналог САТ93С66 ф.Catalyst) –
электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ с
информационной емкостью 4К (512х8 и/или 256х16) с 3-х
проводным интерфейсом. Для микросхем IN93AA66CN,
IN93AA66CD при подключении вывода ORG к общему вы-
воду выбирается организация 512х8 бит. Если вывод ORG
подключен к выводу питания от источника напряжения или
остается свободным, то выбирается организация 256х16
бит. Для микросхем типономиналов А и В вывод ORG не
подключается. При этом микросхема IN93AA66AN,
IN93AA66AD имеет организацию 512х8, а микросхема
IN93AA66BN, IN93AA66BD – организацию 256х16 бит.
Микросхема предназначена для записи, считывания и
длительного энергонезависимого неразрушаемого хранения
информации в системах с 3-х проводным интерфейсом. Ис-
пользуется в телевизионных приемниках, в технике связи,
контрольно-измерительной аппаратуре, изделиях бытовой
электроники.
08
08
01
Индекс N
01 DIP-корпус
Индекс D
SO-корпус
Рисунок 1 - Микросхемы в DIP и
SO-корпусах
Отличительные особенности:
неразрушаемое хранение 4 Кбит информации в течение 100 лет при Тa = 25 оС;
один источник питания (UСС = 1,8 B – 6,0 В);
встроенный в кристалл умножитель напряжения;
возможность образования общей шины ввода/вывода;
автоматическое приращение адреса слова;
внутренний таймер для записи;
1 000 000 циклов стирания/записи на байт;
установка внутренней логики по включению питания;
неограниченное количество циклов считывания;
низкая потребляемая мощность;
температурный диапазон от минус 40 до плюс 85 оС
CS 01
SK 02
DI 03
DO 04
08 Vcc
07 NC
06 NC (ORG)
05 GND
Рисунок 2 – Обозначение выводов в корпусе микросхем IN93AA66AN/AD,
IN93AA66BN/BD, (IN93AA66CN/CD)
Ред.01/15.06.2008
1

No Preview Available !

IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
Рисунок 3 – Структурная схема микросхем IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD,
(IN93AA66CN/CD)
Ред.01/15.06.2008
2

No Preview Available !

IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
Таблица 1 - Назначение выводов микросхем IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD
Обозначе-
CS
SK
DI
DO
GND
NC
NC
VCC
Вывод
01
02
03
04
05
06
07
08
Назначение
Вход сигнала Выбор кристалла
Вход тактового сигнала
Вход последовательных данных
Выход последовательных данных
Общий вывод
Вывод свободный
Вывод свободный
Вывод питания от источника напряжения
Таблица 2 - Назначение выводов микросхем IN93AA66CN/CD
Обозначение
CS
SK
DI
DO
GND
ORG
NC
VCC
Вывод
01
02
03
04
05
06
07
08
Назначение
Вход сигнала Выбор кристалла
Вход тактового сигнала
Вход последовательных данных
Выход последовательных данных
Общий вывод
Вход сигнала Выбор конфигурации памяти
Вывод свободный
Вывод питания от источника напряжения
Ред.01/15.06.2008
3

No Preview Available !

IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
Таблица 3 – Предельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации
Наименование параметра, единица Буквен-
измерения
ное
обозна-
чение
Напряжение питания, В
Входное напряжение высокого
уровня, В
при 4,5 В ≤ UCC 5,5 В
при 1,8 В ≤ UCC < 4,5 В
Входное напряжение низкого
уровня, В
при 4,0 В ≤ UCC 5,5 В
при 1,8 В ≤ UCC < 4,0 В
Выходной ток короткого замыка-
ния, мА
Температура среды
1) Время воздействия не более 1 с
UCC
UIH
UIL
IOS 1)
Ta
Предельно допустимый
режим
Норма
не менее не более
1,8 6,0
2,0
0,7 UCC
UCC + 1,0
UCC + 1,0
-0,1 0,8
0 0,2 UCC
--
-40 85
Предельный
режим
Норма
не менее не более
- 0,5 7,0
- 0,5 UCC + 1,0
- 0,5 UCC + 1,0
--
--
- 100
-60 150
Микросхемы устойчивы к воздействию статического электричества с потенциалом 2000 В.
Входная емкость микросхем не более 5 пФ.
Выходная емкость микросхем не более 5 пФ.
Ред.01/15.06.2008
4

No Preview Available !

IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
Таблица 4 - Электрические параметры микросхем при Та от минус 45 до 85 °С
Наименование параметра, единица
измерения
Буквен-
ное обо-
значение
Режим измерения
Выходное напряжение
низкого уровня, В
Выходное напряжение
высокого уровня, В
UOL1
UOH1
4,5 В UCC 5,5 В
IOL = 2,1 мА
4,5 В UCC 5,5 В
IOH = -400 мкА
Выходное напряжение
низкого уровня, В
Выходное напряжение
высокого уровня, В
Ток утечки низкого уровня на вхо-
де, мкА
Ток утечки высокого уровня на вхо-
де, мкА
Ток утечки низкого уровня на вы-
ходе, мкА
Ток утечки высокого уровня на вы-
ходе, мкА
Ток потребления
(8-разрядный режим), мкА
UOL2
UOH2
IILL
IILH
IOLL
IOLH
ICC1
1,8 В UCC 4,5 В
IOL = 1,0 мА
1,8 В UCC < 4,5 В
IOH = -100 мкА
1,8 В UCC 6,0 В
UI = 0 В
1,8 В UCC 6,0 В
UI = UCC
1,8 В UCC 6,0 В
UO = 0 В
UCS = 0 В
1,8 В UCC 6,0 В
UO = UCC
UCS = 0 В
UCC = 5,5 B
UCS = 0 В
Норма
не менее не более
– 0,4
2,4 –
UCC-0,2
0,2
-1,0
1,0
-1,0
– 1,0
– 10
IN93AA66CN, IN93AA66CD
IN93AA66AN, IN93AA66AD
Ток потребления
(16-разрядный режим), мкА
UORG = 0 В
ORG свободный
(NC)
ICC2 UCC = 5,5 B
UCS = 0 В
– 10
IN93AA66CN, IN93AA66CD
IN93AA66BN, IN93AA66BD
Динамический ток потребления в
режиме считывания, мкА
Динамический ток потребления в
режиме стирания / записи, мА
Время установления выхода в со-
стояние низкого уровня по сигналу
SK, нс
IOCCR
IOCCE/W
tPD0
UORG = UCC или
ORG не подключен
ORG свободный
(NC)
UCC = 5,0 B
fC = 1 МГц
UCC = 5,0 B
fC = 1 МГц
4,5 В UCC 6,0 В
fC = 2 МГц
2,5 В UCC 6,0 В
fC = 0,5 МГц
1,8 В UCC 6,0 В
fC = 250 кГц
– 500
– 3,0
– 250
– 500
– 1000
Ред.01/15.06.2008
5