IN93AA86BN.pdf 데이터시트 (총 13 페이지) - 파일 다운로드 IN93AA86BN 데이타시트 다운로드

No Preview Available !

IN93AA86AN/AD, IN93AA86BN/BD, IN93AA86CN/CD
Микросхема IN93AA86AN/AD,
IN93AA86BN/BD, IN93AA86CN/CD
(аналог САТ93С86 ф.Catalyst) –
электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ
с информационной емкостью 16К (2048х8 и/или 1024х16)
с 3-х проводным интерфейсом. Для микросхем
IN93AA86CN, IN93AA86CD при подключении вывода
ORG к общему выводу выбирается организация
2048х8 бит. Если вывод ORG подключен к выводу питания
от источника напряжения или остается свободным, то вы-
бирается организация 1024х16 бит. Для микросхем типо-
номиналов А и В вывод ORG не подключается. При этом
микросхема IN93AA86AN, IN93AA86AD имеет организа-
цию 2048х8 бит, а микросхема IN93AA86BN,
IN93AA86BD – организацию 1024х16 бит.
Микросхема предназначена для записи, считывания и
длительного энергонезависимого неразрушаемого хране-
ния информации в системах с 3-х проводным интерфей-
сом. Используется в телевизионных приемниках, в технике
связи, контрольно-измерительной аппаратуре, изделиях
бытовой электроники.
08
08
01
Индекс N
01 DIP-корпус
Индекс D
SO-корпус
Рисунок 1 -
Микросхемы в DIP и SO-корпусах
Отличительные особенности:
неразрушаемое хранение 16 Кбит информации в течение 100 лет при Тa = 25 оС;
один источник питания (UСС = 1,8 B – 6,0 В);
встроенный в кристалл умножитель напряжения;
возможность образования общей шины ввода/вывода;
автоматическое приращение адреса слова;
внутренний таймер для записи;
1 000 000 циклов стирания/записи на байт;
установка внутренней логики по включению питания;
неограниченное количество циклов считывания;
низкая потребляемая мощность;
температурный диапазон от минус 40 до плюс 85 оС
CS 01
SK 02
DI 03
DO 04
08 Vcc
07 WE
06 NC (ORG)
05 GND
Рисунок 2 – Обозначение выводов в корпусе микросхем IN93AA86AN/AD,
IN93AA86BN/BD, (IN93AA86CN/CD)
Ред.01/15.06.2008
1

No Preview Available !

IN93AA86AN/AD, IN93AA86BN/BD, IN93AA86CN/CD
Рисунок 3 – Структурная схема микросхем IN93AA86AN/AD, IN93AA86BN/ BD,
(IN93AA86CN/CD)
Ред.01/15.06.2008
2

No Preview Available !

IN93AA86AN/AD, IN93AA86BN/BD, IN93AA86CN/CD
Таблица 1 - Назначение выводов микросхем IN93AA86AN/AD, IN93AA86BN/BD
Обозначение
CS
SK
DI
DO
GND
NC
WE
Vcc
Вывод
01
02
03
04
05
06
07
08
Назначение
Вход сигнала Выбор кристалла
Вход тактового сигнала
Вход последовательных данных
Вход последовательных данных
Общий вывод
Вывод свободный
Вход сигнала «Разрешение записи»
Вывод питания от источника напряжения
Таблица 2 - Назначение выводов микросхем IN93AA86CN/CD
Обозначение
CS
SK
DI
DO
GND
ORG
WE
Vcc
Вывод
01
02
03
04
05
06
07
08
Назначение
Вход сигнала Выбор кристалла
Вход тактового сигнала
Вход последовательных данных
Вход последовательных данных
Общий вывод
Вход сигнала Выбор конфигурации памяти
Вход сигнала «Разрешение записи»
Вывод питания от источника напряжения
Ред.01/15.06.2008
3

No Preview Available !

IN93AA86AN/AD, IN93AA86BN/BD, IN93AA86CN/CD
Таблица 3 – Предельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации
Напряжение питания, В
Входное напряжение высокого
уровня, В
при 4,5 В ≤ Ucc 5,5 В
при 1,8 В ≤ Ucc < 4,5 В
Входное напряжение низкого
уровня, В
при 4,0 В ≤ Ucc 5,5 В
при 1,8 В ≤ Ucc < 4,0 В
Выходной ток короткого замыка-
ния, мА
Температура среды
Буквен-
ное
обозна-
чение
UСС
UIH
UIL
IOS 1)
Ta
1) Время воздействия не более 1 с
Предельно-допустимый
режим
Норма
не менее не более
1,8 6,0
2,0
0,7UСС
UСС + 1,0
UСС + 1,0
-0,1 0,8
0 0,2UСС
--
-40 85
Предельный
режим
Норма
не менее не более
- 0,5 7,0
- 0,5 UСС + 1,0
- 0,5 UСС + 1,0
--
--
– 100
-60 150
Микросхемы устойчивы к воздействию статического электричества с потенциалом 2000 В.
Входная емкость микросхем не более 5 пФ.
Выходная емкость микросхем не более 5 пФ.
Ред.01/15.06.2008
4

No Preview Available !

IN93AA86AN/AD, IN93AA86BN/BD, IN93AA86CN/CD
Таблица 4 - Электрические параметры микросхем при Та от минус 45 до 85 °С
Наименование параметра, единица
измерения
Выходное напряжение
низкого уровня, В
Выходное напряжение
высокого уровня, В
Буквен-
ное обо-
значение
UOL1
UOH1
Выходное напряжение
низкого уровня, В
Выходное напряжение
высокого уровня, В
Ток утечки низкого уровня на входе,
мкА
Ток утечки высокого уровня на вхо-
де, мкА
Ток утечки низкого уровня на выхо-
де, мкА
UOL2
UOH2
IILL
IILH
IOLL
Ток утечки высокого уровня на вы-
ходе, мкА
IOLH
Ток потребления (8-разрядный ре-
жим), мкА
IN93AA86CN, IN93AA86CD
ICC1
IN93AA86AN, IN93AA86AD
Ток потребления (16-разрядный ре-
жим), мкА
ICC2
Режим измерения
4,5 В UCC 5,5 В
IOL = 2,1 мА
4,5 В UCC 5,5 В
IOH = -400 мкА
1,8 В UCC < 4,5 В
IOL = 1,0 мА
1,8 В UCC < 4,5 В
IOH = -100 мкА
1,8 В UCC 6,0 В
1,8 В UCC 6,0 В
UI = UCC
1,8 В UCC 6,0 В
UO = 0 В
UCS = 0 В
1,8 В UCC 6,0 В
UO = UCC
UCS = 0 В
UCC = 5,5 B
UCS = 0 В
UORG = 0 В
ORG свободный (NC)
UCC = 5,5 B
UCS = 0 В
Норма
не менее не более
– 0,4
2,4 –
UCC-0,2
0,2
-1,0
1,0
-1,0
– 1,0
– 10
– 10
IN93AA86CN, IN93AA86CD
IN93AA86BN, IN93AA86BD
Динамический ток потребления в ре-
жиме считывания, мкА
Динамический ток потребления в ре-
жиме стирания / записи, мА
Время установления выхода в со-
стояние низкого уровня по сигналу
SK, нс
IOCC R
IOCC E/W
tPD0
UORG = UCC или
ORG не подключен
ORG свободный (NC)
UСС = 5,0 B
fC = 1 МГц
UСС = 5,0 B
fC = 1 МГц
4,5 В UCC 6,0 В
fC = 3 МГц
2,5 В UCC 6,0 В
fC = 1,0 МГц
1,8 В UCC 6,0 В
fC = 0,5 МГц
– 500
– 3,0
– 150
– 500
– 1000
Ред.01/15.06.2008
5