OP234.pdf 데이터시트 (총 6 페이지) - 파일 다운로드 OP234 데이타시트 다운로드

No Preview Available !

Sensing and Control
Hermetic Infrared Emitting Diode
OP230 Series
Features: 
 Focused and nonfocused op cal light pa ern 
 Enhanced temperature range 
 TO46 herme cally sealed package 
 Mechanically and spectrally matched to other Optek devices 
 Choice of power ranges 
 Choice of narrow or wide irradiance pa ern 
Descrip on: 
Each device in this series is a gallium aluminum arsenide (GaAIAs) infrared emi ng diode, mounted in a herme c metal TO
46 housing.  The gallium aluminum arsenide feature provides a higher radiated output than gallium arsenide at the same 
forward current. 
 
Each OP231, OP232, OP233, OP234 and OP235 device is lensed to provide a narrow beam angle (18°) between half power 
points.  The 890 nm wavelength closely matches the spectral response of silicon phototransistors, while the narrow beam 
angle  combined with the specied radiant intensity of the OP231 series  facilitates easy design in beam interrupt 
applica ons in conjunc on with the OP800 or OP598 series photosensors.  The OP231 series is mechanically and spectrally 
matched to OP800, OP593 and OP598 phototransistors. 
 
Each OP231W, OP232W, OP233W, OP234W and OP235W device is lensed to provide a wide beam angle (50°) between half 
power points.  The 890 nm wavelength closely matches the spectral response of silicon phototransistors, while the wide 
beam angle provides rela vely even illumina on over a large area.  The OP231W is mechanically and spectrally matched to 
the OP800WSL and OP830SL series devices. 
 
Please refer to Applica on Bulle ns 208 and 210 for addi onal design informa on and reliability (degrada on) data. 
 
Custom electrical, wire and cabling and connectors are 
Ordering Informa on 
available.  Contact your local representa ve or OPTEK for 
more informa on. 
 
Part 
 
LED Peak 
Output Power  
 
 
(mW/cm2)   Total Beam  Lead 
Number  Wavelength   Min / Max 
Angle  Length  
Applica ons: 
OP231 
OP232 
890 nm    
1.5 / NA 
2.0 / 6.0 
 Noncontact reec ve object sensor 
 Assembly line automa on 
 Machine automa on 
 Machine safety 
 End of travel sensor 
 Door sensor 
OP233 
OP234 
OP235 
OP231W 
OP232W 
OP233W 
OP234W 
OP235W 
850 nm 
890 nm 
850 nm 
3.0 / NA 
5.0 / NA 
6.0 / NA  
1.5 / NA 
3.5 / 7.0 
5.0 / NA 
5.0 / NA 
6.0 / NA 
18°   
0.50"  
50°  
General Note  
TT Electronics reserves the right to make changes in product specica on without no ce or liability.  All 
informa on is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at  me of going to print. 
© TT electronics plc 
www.optekinc.com   |   www.bitechnologies.com  |   www. electronics.com 
Issue A.3      10/2015     Page 1  

No Preview Available !

Sensing and Control
Hermetic Infrared Emitting Diode
OP230 Series
OP231, OP232, OP233, OP234, OP235 
Anode 
Anode 
DIMENSIONS ARE IN: 
[MILLIMETERS]
INCHES
OP231W, OP232W, OP233W, OP234W, OP235W 
Cathode 
Cathode 
DIMENSIONS ARE IN: 
 [MILLIMETERS]
INCHES
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)  
Storage Temperature Range 
Operating Temperature Range 
Reverse Voltage 
Continuous Forward Current 
Peak Forward Current  
Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6 mm) from case for 5 seconds with soldering iron] 
Power Dissipation 
Pin # 
1 
2 
LED 
Anode 
Cathode 
65o C to +150o C 
65o C to +125o C 
2.0 A 
100 mA 
10.0 A 
260° C(1)(2) 
200 mW(3) 
General Note  
TT Electronics reserves the right to make changes in product specica on without no ce or liability.  All 
informa on is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at  me of going to print. 
© TT electronics plc 
www.optekinc.com   |   www.bitechnologies.com  |   www. electronics.com 
Issue A.3      10/2015     Page 2  

No Preview Available !

Sensing and Control
Hermetic Infrared Emitting Diode
OP230 Series
Electrical Characteris cs (TA = 25°C unless otherwise noted) 
SYMBOL 
PARAMETER 
MIN  TYP  MAX  UNITS 
TEST CONDITIONS 
Input Diode 
EE(APTa)  
Apertured Radiant Incidence 
  OP231 
  OP232 
  OP233 
  OP234 
  OP235 
  OP231W 
  OP232W 
  OP233W 
  OP234W 
  OP235W 
Radiant Power Output 
PO 
  OP231 
  OP232 
  OP233 
VF  Forward Voltage 
IR  Reverse Current 
Wavelength at Peak Emission 
λP     OP231, OP232, OP233 
   OP234, OP235 
β 
Spectral Bandwidth between Half Power 
Points 
∆λP /T 
θHP 
Spectral Shi  with Temperature 
Emission Angle at Half Power Points 
  OP231 ‐ OP235 
  OP231W  ‐ OP231W 
tr  Output Rise Time 
tf  Output Fall Time 
   
1.5  ‐  ‐ 
OP231 Series 
2.0  ‐  6.0  mW/ IF = 100 mA(3 )(4) 
3.0  ‐ 
‐  cm2  Aperture = 0.250” 
5.0  ‐  ‐ 
Distance = 1.429” 
6.0  ‐  ‐ 
1.5 
3.5 
5.0 
5.0 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
7.0 
‐ 
‐ 
mW/
cm2 
OP231W Series 
IF = 100 mA(3 )(4) 
Aperture = 0.250” 
6.0  ‐ 
‐ 
Distance = 0.466” 
   
‐  6.0  ‐ 
‐  8.0  ‐ 
‐  10.0  ‐ 
 
mW 
IF = 100 mA(3 )(4) 
‐  ‐  2.0  V  IF = 100 mA (3) 
‐  ‐  100  µA  VR= 2.0 V 
   
‐  890  ‐ 
‐  850  ‐ 
  
nm  IF = 10 mA 
‐  80  ‐  nm   IF = 10 mA 
‐  +0.30  ‐  nm/°C  IF = Constant 
 
‐ 
‐ 
 
18 
50 
 
‐ 
‐ 
  
Degree  IF = 100 mA 
‐  500  ‐ 
‐  250  ‐ 
ns  IF(PK)=100 mA, PW=10 µs, and 
ns  D.C.=10.0%     
Notes: 
1.  RMA ux is recommended.  Dura on can be extended to 10 seconds maximum when ow soldering. 
2.  Derate linearly 2.0 mW/° C above 25° C. 
3.  Measurement made with 100 µs pulse measured at the trailing edge of the pulse with a duty cycle of 0.1% and an IF = 100 mA. 
4.  For the OP231 series, EE(APT) is a measurement of the average radiant intensity within the cone formed by the measurement surface, a radius of 
1.429” (36.30 mm) measured from the lens side of the tab to the sensing surface and a sensing surface of 0.250” (6.35 mm) in diameter forming a 10° 
cone.  For the OP231W series, EE(APT) is a measurement of the average radiant intensity within the cone formed by the measurement surface, a radius 
of 0.466” (11.84 mm) measured from the lens side of the tab to the sensing surface and a sensing surface of 0.250” (6.35 mm) in diameter forming a 
10° cone.  EE(APT) is not necessarily uniform within the measured area. 
General Note  
TT Electronics reserves the right to make changes in product specica on without no ce or liability.  All 
informa on is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at  me of going to print. 
© TT electronics plc 
www.optekinc.com   |   www.bitechnologies.com  |   www. electronics.com 
Issue A.3      10/2015     Page 3  

No Preview Available !

Sensing and Control
Hermetic Infrared Emitting Diode
OP230 Series
OP231, OP232, OP233 (including “W” devices) 
Forward Voltage vs Forward Current vs
Temperature
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0
-60° C
-40° C
-20° C
0° C
20° C
40° C
60° C
80° C
100° C
120°C
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Forward Current (mA)
Distance vs Output Power vs Forward Current
6
Normalized at 1" and 50 mA
5
Forward Current
10 mA
20 mA
4 30 mA
40 mA
50 mA
60 mA
3 70 mA
80 mA
90 mA
100 mA
2
1
0
0.2 '' 0.4 '' 0.6 '' 0.8 '' 1.0 '' 1.2 '' 1.4 '' 1.6 '' 1.8 '' 2.0 ''
Distance (inches)
General Note  
TT Electronics reserves the right to make changes in product specica on without no ce or liability.  All 
informa on is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at  me of going to print. 
© TT electronics plc 
Optical Power vs IF vs Temperature
3.5
Normalized at 50 mA and 20° C
3.0 -60° C
-40° C
-20° C
0° C
2.5 20° C
40° C
60° C
80° C
2.0 100° C
120° C
1.5
1.0
0.5
0.0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Forward Current IF (mA)
Relative Radiant Intensity vs. Angular
Displacement
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-20
-15 -10 -5 0 5 10
Angular Displacement (Degrees)
15
20
www.optekinc.com   |   www.bitechnologies.com  |   www. electronics.com 
Issue A.3      10/2015     Page 4  

No Preview Available !

Sensing and Control
Hermetic Infrared Emitting Diode
OP230 Series
OP234, OP234W 
Forward Voltage vs Forward Current vs
Temperature
1.8
Optical Power vs Forward Current vs
Temperature
2.5
Normalized at 50 mA and 20°C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
-60° C
-40° C
-20° C
0° C
20° C
40° C
60° C
80° C
100° C
120° C
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Forward Current (mA)
-60° C
2.0 -40° C
-20° C
0° C
20° C
40° C
1.5 60° C
80° C
100° C
120° C
1.0
0.5
0.0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Forward Current IF (mA)
10.00
Distance vs Output Power vs Forward Current
Normalized at 1.0" and 50 mA
Relative Radiant Intensity vs Angular
Displacement
1.2
1.0
1.00
0.8
0.10
Forward Current
10 mA
20 mA
30 mA
40 mA
50 mA
60 mA
80 mA
100 mA
120 mA
0.01
0.2 ''
0.7 ''
1.2 ''
Distance (inches)
1.7 ''
0.6
0.4
0.2
0.0
-80
-30 20
Angular Displacement (Degrees)
70
General Note  
TT Electronics reserves the right to make changes in product specica on without no ce or liability.  All 
informa on is subject to TT Electronics’ own data and is considered accurate at  me of going to print. 
© TT electronics plc 
www.optekinc.com   |   www.bitechnologies.com  |   www. electronics.com 
Issue A.3      10/2015     Page 5