Maker : OSRAM
Part No. : F0118J

  Datasheet PDF : F0118J.pdf
  Cross Reference : F0118J Cross Reference
  Buy Component : F0118J Find Stock and Price

Shortcut : F0118G  F0118J 

Product Information

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse. • Chipgröße 300 x 300 µm2 • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung Anwendungen • IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern • Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Lichtschranken bis 500 kHz • Sensorik I Features • Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in Topled® package. • Chip size 300 x 300 µm2 • Very highly efficient GaAlAs LED • High reliability • High pulse handling capability • Good spectral match to silicon photodetectors • Frontside metallization: aluminum Backside metallization: gold alloy Applications • IR remote control for hifi and TV sets, video tape recorder, dimmers • Remote control for steady and varying intensity • Light-reflection switches (max. 500 kHz) • Sensor technology Typ Type F 0118J Bestellnummer Ordering Code Q67220-C1350 Beschreibung Description Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss Rückseite AuGe Eutektikum Infrared emitting die, top side anode connection Backside AuGe eutectic alloy 2002-02-21 1 F 0118J Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25 °C) Electrical values (measured on TO18 header without resin, TA = 25 °C) Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 10 mA Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax, IF = 10 mA Spectral bandwidth at 50% of Imax Sperrspannung Reverse voltage IF = 10 µA Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Gesamtstrahlungsfluβ4) Total radiant flux4) IF = 100 mA, tp = 20 ms Symbol Symbol min. λpeak Wert1) Value1) typ. 950 max. nm Einheit Unit ∆λ 55 nm VR 5 30 500 V ns tr, tf VF Φe 7 1.4 12 1.6 V mW 2002-02-21 2 F 0118J Mechanische Werte Mechanical values Bezeichnung Parameter Chipkantenlänge (x-Richtung) Length of chip edge (x-direction) Chipkantenlänge (y-Richtung) Length of chip edge (y-direction) Durchmesser des Wafers Diameter of the wafer Chiphöhe Die height Bondpaddurchmesser Diameter of bondpad Symbol Symbol min. 0.28 0.28 Wert1) Value1) typ. 0.3 0.3 76.2 225 240 130 255 max. 0.32 0.32 mm mm mm µm µm Einheit Unit Lx Ly D H d Bezeichnung Parameter Vorderseitenmetallisierung Metallization frontside Rückseitenmetallisierung Metallization backside Trennverfahren Dicing Verbindung Chip - Träger Die bonding Wert Value Aluminium Aluminum AuGe Eutektikum AuGe eutectic alloy Sägen Sawing Legieren Eutectic bonding 2002-02-21 3 F 0118J fj Grenzwert3) ( gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25°C) Maximum Ratings3) (measured on TO18 header without resign, TA = 25°C) Bezeichnung Parameter Maximaler Betriebstemperaturbereich Maximum operating temperature range Maximaler Lagertemperaturbereich Maximum storage temperature range Maximaler Durchlaßstrom Maximum forward current Maximaler Stoßstrom Maximum surge current Maximale Sperrschichttemperatur Maximum junction temperature Symbol Symbol Top Tstg IF IS Tj Wert Value - 40...+100 - 40...+100 100 3 125 Einheit Unit °C °C mA A °C 2002-02-21 4 F 0118J Relative Spectral Emission2) Ιrel = f (λ) TA = 25 °C OHRD1938 Radiant Intensity2) Ι 100 mA = f (IF) e Single pulse, TA = 25 °C,tp = 20 µs Ιe 100 % Ι rel 80 Ιe 10 2 A OHR01551 Ι e 100 mA 10 1 60 40 10 0 20 10 -1 0 880 920 960 1000 λ nm 1060 10 -2 10 -3 10 -2 10 -1 Permissible Pulse Handling Capability...

Link URL