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Fast Silicon RectifiersMaker : Diotec Semiconductor
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Product Information |
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F1200A, F1200D Fast Silicon Rectifiers Version 2004-04-06 Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Ø8 ±0.1 12 A 50V, 200 V Ø 8 x 7.5 [mm] P-600 Style 1.5 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. ±0.5 62.5 Type 7,5 ±0.1 Ø 1.2 ±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions / Maße in mm Maximum ratings Type Typ F1200A F1200D Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 200 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 200 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50°C f > 15 Hz IFAV IFRM IFSM IFSM i2t 12 A 1) 80 A 1) TA = 25°C TA = 25°C TA = 25°C 375 A 390 A 680 A2s Tj TS – 50…+150°C – 50…+175°C 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 1 F1200A, F1200D Characteristics Forward voltage – Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 5 A VR = VRRM VF IR trr RthA Kennwerte < 0.82 V < 25 µA < 200 ns < 10 K/W 1) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Pulse thermal resistance versus pulse duration ) Impulswärmewiderstand in Abh. v.d. Impulsdauer 1) 1 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 ... |
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Link URL |
| http://www.datasheet.co.kr/datasheet-html/F/1/2/F1200D_DiotecSemiconductor.pdf.html |
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