Maker : Micross
Part No. : J108

  Datasheet PDF : J108.pdf
  Cross Reference : J108 Cross Reference
  Buy Component : J108 Find Stock and Price

Shortcut : J105  J105  J106  J106  J107  J107  J108  J108  J108  J108  J108  J108-110  J109  J109  J109  J109  J109 

Product Information

J108 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix J108 This n-channel JFET is optimised for low noise high performance switching. The part is particularly suitable for use in low noise audio amplifiers. The TO-92 package is well suited for cost sensitive applications and mass production. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J108  LOW ON RESISTANCE  rDS(on) ≤ 8Ω  FAST SWITCHING  t(on) ≤ 4ns  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  J108 Benefits: Operating Junction Temperature  ‐55°C to +150°C  Low On Resistance Maximum Power Dissipation  Low insertion loss Continuous Power Dissipation   350mW  Low Noise MAXIMUM CURRENT J108 Applications: Gate Current (Note 1)  50mA  Analog Switches MAXIMUM VOLTAGES  Commutators Gate to Drain Voltage  VGDS = ‐25V  Choppers Gate to Source Voltage  VGSS = ‐25V      J108 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐    IG = 1µA,   VDS = 0V    VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐3  ‐‐  ‐10  VDS = 5V, ID = 1µA  V  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  ‐‐  0.7  ‐‐  IG = 1mA,   VDS = 0V  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  80  ‐‐  ‐‐  mA  VDS = 15V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current  ‐‐  ‐0.01  ‐3    VGS = ‐15V,  VDS = 0V  nA  IG  Gate Operating Current  ‐‐  ‐0.01  ‐‐  VDG = 10V,  ID = 10mA  ID(off)  Drain Cutoff Current  ‐‐   0.02  3  VDS = 5V, VGS = ‐10V  rDS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  8  Ω  VGS = 0V,  VDS ≤ 0.1V                J108 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  ‐‐  17  ‐‐  mS  VDS = 5V,  ID = 10mA , f = 1kHz  gos  Output Conductance  ‐‐  0.6  ‐‐  rDS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  8  Ω  VGS = 0V, ID = 0A,  f = 1kHz  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  60  85    VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz  pF  Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  11  15  VDS = 0V, VGS = ‐10V, f = 1MHz  en  Equivalent Noise Voltage  ‐‐  3.5  ‐‐  nV/√Hz  VDS = 5V,  ID = 10mA , f = 1kHz                J108 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC    UNITS  CONDITIONS  www.DataSheet4U.com Click To Buy Turn On Time  Turn On Rise Time  Turn Off Time  Turn Off Fall Time  3  1  4  18      ns  VDD = 1.5V  VGS(H) = 0V    See Switching Circuit                  Available Packages: J108 in TO-92 J108 in bare die. Please contact Micross for full package and die dimensions TO-92 (Bottom View) td(on)  tr  td(off)  tf  Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which J108 serviceability may be impaired.  Note 2 – Pulse test: PW≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 3%                                                                                                                   J108 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS                                                                                                                           ‐12V  RL  150Ω  ID(on)  10mA        ...

Link URL