Maker : Micross
Part No. : J112

  Datasheet PDF : J112.pdf
  Cross Reference : J112 Cross Reference
  Buy Component : J112 Find Stock and Price

Shortcut : J110  J110  J110  J110  J110  J110  J110A  J111  J111  J111  J111  J111  J111  J111  J112  J112  J112  J112  J112  J112  J112  J112  J112  J113  J113  J113  J113  J113  J113  J114  J117 

Product Information

J112 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix J112 This n-channel JFET is optimised for low noise high performance switching. The part is particularly suitable for use in low noise audio amplifiers. The TO-92 package is well suited for cost sensitive applications and mass production. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J112  LOW GATE LEAKAGE CURRENT  5pA  FAST SWITCHING  t(on) ≤ 4ns  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  J112 Benefits: Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  Short Sample & Hold Aperture Time Maximum Power Dissipation  Low insertion loss Continuous Power Dissipation   360mW  Low Noise MAXIMUM CURRENT J112 Applications: Gate Current (Note 1)  50mA  Analog Switches MAXIMUM VOLTAGES  Commutators Gate to Drain Voltage  VGDS = ‐35V  Choppers Gate to Source Voltage  VGSS = ‐35V      J112 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐35  ‐‐  ‐‐    IG = 1µA,   VDS = 0V    VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐1  ‐‐  ‐5  VDS = 5V, ID = 1µA  V  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  ‐‐  0.7  ‐‐  IG = 1mA,   VDS = 0V  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  5  ‐‐  ‐‐  mA  VDS = 15V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current  ‐‐  ‐0.005  ‐1  nA  VGS = ‐15V,  VDS = 0V  IG  Gate Operating Current  ‐‐  ‐0.5  ‐‐  pA  VDG = 15V,  ID = 10mA  ID(off)  Drain Cutoff Current  ‐‐   0.005  1  nA  VDS = 5V, VGS = ‐10V  rDS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  50  Ω  IG = 1mA,  VDS = 0V                J112 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  ‐‐  6  ‐‐  mS  VDS = 20V,  ID = 1mA , f = 1kHz  gos  Output Conductance  ‐‐  25  ‐‐  µS  rDS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  50  Ω  VGS = 0V, ID = 0mA,  f = 1kHz  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  7  12  pF  VDS = 0V, VGS = ‐10V, f = 1MHz    Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  3  5  en  Equivalent Noise Voltage  ‐‐  3  ‐‐  nV/√Hz  VDG = 10V,  ID = 1mA , f = 1kHz                J112 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC    UNITS  CONDITIONS  www.DataSheet4U.com Click To Buy Turn On Time  Turn On Rise Time  Turn Off Time  Turn Off Fall Time  2  2  6  15      ns  VDD = 10V  VGS(H) = 0V    See Switching Circuit                  Available Packages: J112 in TO-92 J112 in bare die. Please contact Micross for full package and die dimensions TO-92 (Bottom View) td(on)  tr  td(off)  tf  Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which J112 serviceability may be impaired.  Note 2 – Pulse test: PW≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 3%                                                                                                                   J112 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS                                                                                                                           ‐7V  RL  1600Ω  ID(on)  6mA          Micross Components Europe ...

Link URL