Maker : JILIN SINO-MICROELECTRONICS
Part No. : JCS840

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Product Information

www.DataSheet.co.kr R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS840 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson @Vgs=10V） （ Qg 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 8 A 500 V 0.8 Ω 59 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS FEATURES Low gate charge Low Crss (typical 35pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product B B 产品特性 低栅极电荷 低Crss (典型值 35pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 B B 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS840S-O-S-N-B JCS840B-O-B-N-B JCS840C-O-C-N-B JCS840F-O-F-N-B 印 记 封 TO-263 TO-262 TO-220C TO-220MF 装 否 否 否 否 无卤素 Halogen Free NO NO NO NO 包 装 器件重量 Device Weight 1.37 g(typ) 1.71 g(typ) 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) Marking JCS840S JCS840B JCS840C JCS840F Package Packaging 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 版本：201007A 1/12 Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ www.DataSheet.co.kr R JCS840 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 目 符 号 数 JCS840S/B/C 500 8.0 5.1 32 B 绝对最大额定值 项 值 单 JCS840F 位 Unit V 8.0* 5.1* 32* A A A V Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current Symbol VDSS B B Value -continuous B ID T=25℃ T=100℃ B 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） IDM B VGSS B B ±30 EAS B B 320 mJ IAR B B 8.0 13.4 A mJ 重复雪崩能量（注 1） EAR Repetitive Avalanche Current（note 1） B B 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） dv/dt PD TC=25℃ -Derate above 25℃ B B B B 3.5 134 44 V/ns W Peak Diode Recovery dv/dt（note 3） 耗散功率 Power Dissipation 1.08 0.35 W/℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature Soldering Purposes for TJ，TSTG B B B B -55～+150 ℃ TL B B 300 ℃ *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201007A 2/12 Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ www.DataSheet.co.kr R JCS840 项 目 符 号 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最大 单位 Min Typ Max Units Parameter Symbol 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance 正向跨导 Forward Transconductance 输入电容 Input capacitance 输出电容 Output capacitance 反向传输电容 Reverse transfer capacitance VGS(th) B B BVDSS B B ID=250μA, VGS=0V B B B B 500 - - V ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to 25℃ TJ B B B B B B - 0.55 - V/℃ IDSS B B VDS=500V,VGS=0V, TC=25℃ B B B B B B - - 10 100 100 μA μA nA VDS=400V, B B TC=125℃ B B IGSSF B B VDS=0V, B B VGS =30V B B IGSSR B B VDS=0V, B B VGS =-30V B B - - -100 nA VDS = VGS , B B B B ID=250μA B B 2.0 - 4.0 V RDS(ON) B B VGS =10V , B B ID=4.0A B B - 0.65 0.8 Ω gfs B B VDS = 40V, ID=4.0A（note 4） B B B B - 7.3 - S 动态特性 Dynamic Characteristics Ciss B B Coss B B VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ B B B B B B - 1400 1800 pF 145 190 35 45 pF pF Crss B B 版本：201007A 3/12 Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ www.DataSheet.co.kr R JCS840 td(on) B B 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 ...

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