Maker : JILIN SINO-MICROELECTRONICS
Part No. : JCS8N65B

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www.DataSheet.co.kr R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS8N65B 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson @Vgs=10V） （ Qg 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 7.0 A 6 0 V 1. Ω 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS FEATURES Low gate charge Low Crss (typical 16pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值 16pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS8N65CB-O-C-N-B JCS8N65FB-O-F-N-B 印 记 封 装 无卤素 Halogen Free 否 否 NO NO 包 装 器件重量 Device Weight 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) Marking JCS8N65CB JCS8N65FB Package TO-220C TO-220MF Packaging 条管 Tube 条管 Tube 版本：201011A 1/10 Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ www.DataSheet.co.kr R JCS8N65B ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 目 符 号 数 JCS8N65CB 650 7.0 4.3 30 ±30 590 7.0 14.0 4.5 142 48 值 单 位 JCS8N65FB 650 7.0* 4.3* 30* Unit V A A A V mJ A mJ V/ns W Value 项 绝对最大额定值 Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current Symbol VDSS ID T=25℃ T=100℃ IDM VGSS -continuous 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） EAS Single Pulsed Avalanche Energy note 2） （ 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current（note 1） IAR EAR 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt（note 3） PD TC=25℃ -Derate above 25℃ TJ，TSTG 耗散功率 Power Dissipation 1.14 0.38 W/℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes -55～+150 ℃ TL 300 ℃ *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201011A 2/10 Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ www.DataSheet.co.kr R JCS8N65B 项 目 符 号 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最 大 单 Min 位 Parameter Symbol Typ Max Units 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance 正向跨导 Forward Transconductance 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance 输出电容 Output capacitance 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Ciss Coss Crss VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ 1120 1350 115 23 150 30 pF pF pF VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA 2.0 4.0 V BVDSS ID=250μA, VGS=0V referenced to 650 V ΔBVDSS/Δ ID=250μA, 25℃ TJ - 0.65 - V/℃ IDSS VDS=650V,VGS=0V, TC=25℃ VDS=500V, TC=125℃ - - 10 100 100 μA μA nA IGSSF VDS=0V, VGS =30V IGSSR VDS=0V, VGS =-30V - - -100 nA RDS(ON) VGS =10V , ID=3.5A - 1.1 1.3 Ω gfs VDS = 40V, ID=3.5A （note 4） - 6.2 - S 版本：201011A 3/10 Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ www.DataSheet.co.kr R JCS8N65B td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VDS =480V , ID=7A VGS =10V （note 4，5） VDD=300V,ID=7A,RG=25Ω （note 4，5） 30 70 ns ns ns ns nC nC nC 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time 上升时间 Turn-On rise time 延迟时间 Turn-Off delay time 下降时间 Turn-Off Fall time 栅极电荷总量 Total Gate Charge 栅－�...

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